(2004?扬州一模)如图所示,在真空区域内,有宽度为L的匀强磁场,磁感应强度为B,磁场方向垂直纸面向里
(2004?扬州一模)如图所示,在真空区域内,有宽度为L的匀强磁场,磁感应强度为B,磁场方向垂直纸面向里,MN、PQ是磁场的边界.一质量为m,带电量为-q的粒子,先后两次...
(2004?扬州一模)如图所示,在真空区域内,有宽度为L的匀强磁场,磁感应强度为B,磁场方向垂直纸面向里,MN、PQ是磁场的边界.一质量为m,带电量为-q的粒子,先后两次沿着与MN夹角为θ(0°<θ<90°)的方向垂直于磁感线射入匀强磁场中.第一次粒子以速度v1射入磁场,粒子刚好没能从PQ边界射出磁场;第二次粒子以速度v2射入磁场,粒子刚好垂直PQ射出磁场(不计粒子重力,v1、v2均为未知量).求:(1)v1v2的值;(2)为使粒子以速度v1射入磁场后沿直线射出PQ边界,可在磁场区域加一匀强电场,求该电场的场强大小和方向.
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(1)第一次粒子不穿出磁场区域,L=R1+R1cosθ,则R1=
,
v1=
=
;
第二次粒子垂直PQ边界飞出,R2=
,
v2=
=
.
所以,
=
;
(2)所加电场使粒子所受的电场力和洛仑兹力等值反向,有qE=qBv1
所以,E=
,方向斜向右下,与水平成θ角.
答:(1)两种情况下速度的比值为
;(2)场强的大小为
,方向斜向下,与水平方向成θ角
L |
1+cosθ |
v1=
qBR1 |
m |
qBL |
m(1+cosθ) |
第二次粒子垂直PQ边界飞出,R2=
L |
cosθ |
v2=
qBR2 |
m |
qBL |
mcosθ |
所以,
v1 |
v2 |
cos θ |
1+cosθ |
(2)所加电场使粒子所受的电场力和洛仑兹力等值反向,有qE=qBv1
所以,E=
qB2L |
m(1+cosθ) |
答:(1)两种情况下速度的比值为
cos θ |
1+cosθ |
qB2L |
m(1+cosθ) |
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