Question

Ⅰ．砷化镓为第三代半导体，以其为材料制造的灯泡寿命长，耗能少。已知砷化镓的晶胞结构如图所示。请回答

Ⅰ．砷化镓为第三代半导体，以其为材料制造的灯泡寿命长，耗能少。已知砷化镓的晶胞结构如图所示。请回答下列问题： (1)下列说法正确的是____（填序号）。A.砷化镓晶胞结构与NaCl相同B.第一电离能As>GaC.电负性As>Ga D.原子半径As>Ga (2)砷化镓可由(CH 3 ) 3 Ga和AsH 3 在700℃下反应制得，反应的方程式为_________________； (3)AsH 3 空间形状为_______；已知(CH 3 ) 3 Ga为非极性分子，则其中镓原子的杂化方式为____________； Ⅱ．金属铜的导电性仅次于银，居金属中的第二位，大量用于电气工业。(4)请解释金属铜能导电的原因___________，Cu 2+ 的核外电子排布式为_________________ (5)在硫酸铜溶液中通入过量的氨气，小心蒸发，最终得到深蓝色的[Cu(NH 3 ) 4 ]SO 4 晶体，晶体中含有的化学键除普通共价键外，还有___________和____________。

Answer 1

(1)BC (2)(CH 3 ) 3 Ga+AsH 3 GaAs+3CH 4 (3)三角锥；sp 2 (4)铜是金属晶体，由金属阳离子和自由电子构成，自由电子在外加电场的作用下可发生定向移动； [Ar]3d 9 或1s 2 2s 2 2p 6 3s 2 3p 6 3d 9 (5)离子键；配位键