Question

可产生抑制性突触后电位的离子基础是

A.K+
B.Na+
C.Ca2+
D.Cl-
E.H+

Answer 1

【答案】：D
本题考核抑制性突触后电位的产生机制。Cl-是产生抑制性突触后电位的离子基础。突触前神经元轴突末梢释放抑制性递质→与突触后膜上相应的受体结合后→提高突触后膜对Cl-、K+等离子的通透性（尤其是Cl- ) →Cl-内流（为主）、K+外流→突触后膜超极化，产生抑制性突触后电位（IPSP)。