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上电瞬间,由于电容两端电压不能突变,RST引脚电压端为VR为VCC,随着对电容的充电, RST
引脚的电压呈指数规律下降,到t1时刻,VR降为3.6V,随着对电容充电的进行,VR最后将接近
0V。为了确保单片机复位,t1必须大于两个机器周期的时间,机器周期取决于单片机系统采用的晶
振频率,R不能取得太小,典型值 8.2kΩ;t1与RC 电路的时间常数有关,老或由晶振频率和R可以算
出C的取值。
假设高电平复位有效,一充一放周期是1.386*RC,舍去充放过程中较低的电平,一般的单片机复
位脉冲宽度取值:(0.7~1)RC 反正都是大概的,电平保持时间越长越好,电容大点好。
单位是:(侍罩伍R)*(C)=(欧姆)*(法拉)=秒
例如:R=470K,C=0.15UF 则延时
时间是(闷颤470*1000)*(0.15/1000000)
=0.0705秒
引脚的电压呈指数规律下降,到t1时刻,VR降为3.6V,随着对电容充电的进行,VR最后将接近
0V。为了确保单片机复位,t1必须大于两个机器周期的时间,机器周期取决于单片机系统采用的晶
振频率,R不能取得太小,典型值 8.2kΩ;t1与RC 电路的时间常数有关,老或由晶振频率和R可以算
出C的取值。
假设高电平复位有效,一充一放周期是1.386*RC,舍去充放过程中较低的电平,一般的单片机复
位脉冲宽度取值:(0.7~1)RC 反正都是大概的,电平保持时间越长越好,电容大点好。
单位是:(侍罩伍R)*(C)=(欧姆)*(法拉)=秒
例如:R=470K,C=0.15UF 则延时
时间是(闷颤470*1000)*(0.15/1000000)
=0.0705秒
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