电脑内存技术参数有哪些?

顺罕4493
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内存技术参数

  单面内存与双面内存的区别在于单面内存的内存芯片都在同一面上,而双面内存的内存芯片分布在两面。而单Bank与双Bank的区别就不同了。Bank从物理上理解为北桥芯片到内存的通道,通常每个通道为64bit。一块主板的性能优劣主要取决于它的芯片组。不同的芯片组所支持的Bank是不同的游则。如Intel 82845系列芯片组支持4个Bank,而SiS的645系列芯片组则能支持6个Bank。如果主板只支持4个Bank,而我们却用6个Bank的话,那多余的2个Bank就白白地浪费了。双面不一定是双Bank,神悉棚也有可能是单Bank,这一点要注意。

  这些电脑硬件文章经常出现的参数就是在主板的BIOS里面关于内存参数的设置了。通常说的2-2-3按顺序说的是tRP(Time of Row Precharge),tRCD(Time of RAS to CAS Delay)和CL(CAS Latency)。tRP为RAS预充电时间,数值越小越好;tRCD是RAS到CAS的延迟,数值越小越好;CL(CAS Latency)为CAS的延迟时间,这是纵向地址脉冲的反应时间,也是在一定频率下衡量支持不同规范的内存的重要标志之一。

  什么是双通道DDR技术呢?需要说明的是,它并非我前面提到的陆败D D R I I,而是一种可以让2条D D R内存共同使用,数据并行传输的技术。双通道DDR技术的优势在于,它可以让内存带宽在原来的基础上增加一倍,这对于P 4处理器的好处可谓不言而喻。400M H z 前端总线的P 4 A处理器和主板传输数据的带宽为3.2G B /s,而533 M Hz 前端总线的P4B处理器更是达到了4.3G B/s,而P4C处理器更是达到了800MHZ 前端总线从而需要6. 4 G的内存带宽。但是目前除了I850E支持的R ambus P C10 66规范外,根本没有内存可以满足处理器的需要,我们最常用的DDR333本身仅具有2.7G B/s的带宽。DDR400也只能提供3.2G /s的带宽。也就是说,如果我们搭建双通道DDR400的内存,理论上提供2倍DDR400的带宽。将从而根本的解决了CPU和内存之间的瓶颈问题。

  DDR-II内存是相对于现在主流的DDR-I内存而言的,它们的工作时钟预计将为400MHz或更高。主流内存市场将从现在的DDR-400产品直接过渡到DDR-II。目前DDR-II内存将采用0.13微米工艺,将来会过度到90纳米,工作频率也会超过800MHZ。
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