3个回答
展开全部
以NPN型BJT为例,有如下四个因素影响各电流的形成。
(1) 尺寸很小的基区好像狭窄的道路或山梁拥挤不堪。
(2) 基区空穴浓度很低
基区空穴浓度很低使得从发射区到达基区的电子中,只有少量电子有机会与基区的空穴复合而形成基极电流,相当于很“荒凉”,兔子不拉屎,电子难安家。
(3) 发射区自由电子浓度很高
(4) 集电区尺寸较大并接有正电源
集电区尺寸较大并接有正电源。集电极正电源Ucc对NPN型BJT中由发射区流到基区的大量电子是一个很强的吸引力。就是说,由于基区尺寸很小且空穴浓度很低,而发射区自由电子浓度很高,所以从NPN型BJT发射区流向基区的大量电子中,只有少数得以与基区的空穴复合(安家)而形成较小的基极电流Ib,多数电子横向越过狭窄的基区奔向广阔的集电区并到达集电极,被集电极正电源所俘获而形成较大的集电极电流Ic。
由于晶体管三个区的尺寸及掺杂浓度都是确定的,所以集电极电流与基极电流的比例也就固定了,这个比例就是电流放大倍数β。
(1) 尺寸很小的基区好像狭窄的道路或山梁拥挤不堪。
(2) 基区空穴浓度很低
基区空穴浓度很低使得从发射区到达基区的电子中,只有少量电子有机会与基区的空穴复合而形成基极电流,相当于很“荒凉”,兔子不拉屎,电子难安家。
(3) 发射区自由电子浓度很高
(4) 集电区尺寸较大并接有正电源
集电区尺寸较大并接有正电源。集电极正电源Ucc对NPN型BJT中由发射区流到基区的大量电子是一个很强的吸引力。就是说,由于基区尺寸很小且空穴浓度很低,而发射区自由电子浓度很高,所以从NPN型BJT发射区流向基区的大量电子中,只有少数得以与基区的空穴复合(安家)而形成较小的基极电流Ib,多数电子横向越过狭窄的基区奔向广阔的集电区并到达集电极,被集电极正电源所俘获而形成较大的集电极电流Ic。
由于晶体管三个区的尺寸及掺杂浓度都是确定的,所以集电极电流与基极电流的比例也就固定了,这个比例就是电流放大倍数β。
推荐律师服务:
若未解决您的问题,请您详细描述您的问题,通过百度律临进行免费专业咨询