单晶硅与多晶硅不同功能及优缺点是什么?
1、不同功能
单晶硅:单晶硅是制造半导体硅器件的原料,用于制大功率整流器、大功率晶体管、二极管、开关器件等。在开发能源方面是一种很有前途的材料。
多晶硅:多晶硅和单晶硅可从外观上加以区别,但真正的鉴别须通过分析测定晶体的晶面方向、导电类型和电阻率等。多晶硅是生产单晶硅的直接原料,是当代人工智能、自动控制、信息处理、光电转换等半导体器件的电子信息基础材料。
2、优缺点
单晶硅:单晶硅太阳电池是当前开发得最快的一种太阳电池,它的构成和生产工艺已定型,产品已广泛用于宇宙空间和地面设施。这种太阳电池以高纯的单晶硅棒为原料,纯度要求99.999%。为了降低生产成本,现在地面应用的太阳电池等采用太阳能级的单晶硅棒,材料性能指标有所放宽。
多晶硅:单晶硅太阳电池的生产需要消耗大量的高纯硅材料,而制造这些材料工艺复杂,电耗很大,在太阳电池生产总成本中己超二分之一,加之拉制的单晶硅棒呈圆柱状,切片制作太阳电池也是圆片,组成太阳能组件平面利用率低。
扩展资料:
生产问题
1、产生污染
多晶硅是高污染的项目,中国多数多晶硅企业环保不完全达标。生产多晶硅的副产品——四氯化硅是高毒物质。用于倾倒或掩埋四氯化硅的土地将变成不毛之地,草和树都不会在这里生长。它具有潜在的极大危险,不仅有毒,还污染环境,回收成本巨大。
2、供需矛盾
2005年中国太阳能用单晶硅企业开工率在20%-30%,半导体用单晶硅企业开工率在80%-90%,无法实现满负荷生产,多晶硅技术和市场仍牢牢掌握在美、日、德国的少数几个生产厂商中,严重制约中国产业发展。
参考资料来源:百度百科-单晶硅
参考资料来源:百度百科-多晶硅
2. 单晶硅电阻率较低,载流子迁移率高。多晶硅电阻率较高,载流子迁移率受晶界影响较大。
3. 单晶硅光电转换效率较高,可达25%以上。多晶硅转换效率普遍在15-20%。
4. 单晶硅机械强度较低,致密性较差。多晶硅机械性能好,致密性高。
5. 单晶硅的光折射率更加均匀。多晶硅的各向异性会造成光线散射。
6. 单晶硅的制备难度大,成本高。多晶硅制备相对简单,成本低。
7. 单晶硅主要用于集成电路、太阳能电池等。多晶硅应用更为广泛。