英特尔 Celeron(赛扬) D 3.06GHz和英特尔 Pentium(奔腾) 4 1.80GHz哪个好用
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作为新一代65纳米制程技术下的赛扬D处理器,不仅频率保持在3GHZ 以上,而且还在缓存方面加倍。65纳米赛扬D处理器采用和奔腾4 6XX处理器相同的Cedar Mill核心,超频能力同样出众,而且价格上也非常低廉,非常适合入门级用户选购。目前赛扬D347散装处理器的价格仅为315元,具备3.06GHZ主频和512KB二级缓存.产品采用PLGA封装,在和老赛扬D处如卖汪理器相同的外观下却包含一颗不同的“芯”。由于65纳米制程技术有助于进一步降低内部延迟,减少漏电现象,因此在超频幅度上较90纳米赛扬D处理器有所提升。
赛扬D347处理器同样采用LGA775接口,电子元件要较老赛扬D处理器更加丰富可靠,这与缓存容量增大不无关系。产品工作电压为1.25V- 1.4V,采用Cedar Mill核心,实际主频为3.06GHZ,外频为133MHZ,倍频为23。产品支持MMX/SSE/SSE2/SSE3/EM64T指令集,可支持64 位操作系统。
产品名称为“CELERON D 347”,编号为SL9XU,产品封装地为中国,主频为3.06GHZ,缓存为512KB,前端总线为533MHZ,需符合05A供电标准。
至于Pentium4 1.80应该是05,06年的老产品,目前配槐最具性价比的是奔腾双核E2160,产品采用65纳米制程技术,工作电压为1.25V,设计功耗为65W。产品主频为1.80GHz,外频为200MHz,倍频为9,共享L2缓存容量为1MB,前端总线为800MHz,支持MMX/SSE/SSE2/SSE3/Sup-SSE3/EM64T指令集。
散装的E2160报价为470元,产品采用PLGA封装,步进为M0版,平均功耗小于19W,产品全称为“Pentium Dual-Core E2160”,编号为SLA8Z(M0步进),注意与之前的L2步进(SLA3H)区分开,封装地为马来西亚。产品主频为1.8GHz,二级缓存为1MB,前端总线为800MHz,供电需符合06规范。能耗控制以及稳定性表现更为出色。
性能方面明显E2160更胜一筹,值得中低端用户选购。
赛扬D 3.06G和奔腾4 1.8G是两款不同时期,不同制程和不同性能的CPU,两者的性能相差悬殊。下面是赛扬D 3.06G和奔腾4 1.8G的部分主要参数供你参考:
Celeron D 3.06G 投产时间 2004年11月、 晶体管数量 125百万、制程 90nm、一级缓存 16KB、二级缓存 256KB、前端总线频率 533MHz、耗电 73.0W。
Pentium4 1.8G 投产渣仔时间 2001年10月、晶体管数量42百万、制程 180nm、一级缓存 12+8KB、二级缓存 256KB、前端总线频率 400MHz、耗电 57.9W。
赛扬D347处理器同样采用LGA775接口,电子元件要较老赛扬D处理器更加丰富可靠,这与缓存容量增大不无关系。产品工作电压为1.25V- 1.4V,采用Cedar Mill核心,实际主频为3.06GHZ,外频为133MHZ,倍频为23。产品支持MMX/SSE/SSE2/SSE3/EM64T指令集,可支持64 位操作系统。
产品名称为“CELERON D 347”,编号为SL9XU,产品封装地为中国,主频为3.06GHZ,缓存为512KB,前端总线为533MHZ,需符合05A供电标准。
至于Pentium4 1.80应该是05,06年的老产品,目前配槐最具性价比的是奔腾双核E2160,产品采用65纳米制程技术,工作电压为1.25V,设计功耗为65W。产品主频为1.80GHz,外频为200MHz,倍频为9,共享L2缓存容量为1MB,前端总线为800MHz,支持MMX/SSE/SSE2/SSE3/Sup-SSE3/EM64T指令集。
散装的E2160报价为470元,产品采用PLGA封装,步进为M0版,平均功耗小于19W,产品全称为“Pentium Dual-Core E2160”,编号为SLA8Z(M0步进),注意与之前的L2步进(SLA3H)区分开,封装地为马来西亚。产品主频为1.8GHz,二级缓存为1MB,前端总线为800MHz,供电需符合06规范。能耗控制以及稳定性表现更为出色。
性能方面明显E2160更胜一筹,值得中低端用户选购。
赛扬D 3.06G和奔腾4 1.8G是两款不同时期,不同制程和不同性能的CPU,两者的性能相差悬殊。下面是赛扬D 3.06G和奔腾4 1.8G的部分主要参数供你参考:
Celeron D 3.06G 投产时间 2004年11月、 晶体管数量 125百万、制程 90nm、一级缓存 16KB、二级缓存 256KB、前端总线频率 533MHz、耗电 73.0W。
Pentium4 1.8G 投产渣仔时间 2001年10月、晶体管数量42百万、制程 180nm、一级缓存 12+8KB、二级缓存 256KB、前端总线频率 400MHz、耗电 57.9W。
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