抑制性突触后电位产生的离子机制是() A.内流B.内流C.内流D.内流E.外流... A.内流B.内流C.内流D.内流E.外流 展开 1个回答 #热议# 海关有哪些禁运商品?查到后怎么办? 考试资料网 2023-05-03 · 百度认证:赞题库官方账号 考试资料网 向TA提问 关注 展开全部 【答案】:D突触后膜在递质作用下发生超极化,使该突触后神经元的兴奋下降,这种电位变化称为抑制性突触后电位(IPSP)。其产生机制为抑制性递质作用于突触后膜,使后膜上的配体门控 通道开放,引起内流,突触后膜发生超极化。 已赞过 已踩过< 你对这个回答的评价是? 评论 收起 推荐律师服务: 若未解决您的问题,请您详细描述您的问题,通过百度律临进行免费专业咨询 其他类似问题 2021-01-08 生理学论述题:试述抑制性突触后电位的产生过程。 1 2023-05-04 抑制性突触后电位产生的离子机制是 2023-05-09 可产生抑制性突触后电位的离子基础是 2023-05-03 可产生抑制性突触后电位的离子基础是 2023-05-04 可产生抑制性突触后电位的离子基础是 2023-05-04 下列关于抑制性突触后电位的叙述,正确的是 2023-05-04 下列关于抑制性突触后电位的叙述,正确的是 2023-01-22 关于抑制性突触后电位描述正确的是() 为你推荐: