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对于近红外波段的VCSEL,使用的基本都是全半导体DBR反射镜,如表所示。基于AlGaAs材料的DBR应用的最为广泛,在波段650~690 nm,近红外的850~980 nm段,长波1.33~1.55 ptm段都有应用。在650~690 nm段,采用的是A1As/A1xGa-xAs基DBR,为了避免光吸收,需x>0.4。对于780 nm的VCSEL,铝的组分要减少为x=0.25;同理,对应于850 nm的x=0.15,980 nm的VCSEL选用的是GaAs/A1As或GaAs/A1。q6Ga0.04As基DBR。
理想的VCSEL需要拥有最大的反射率和良好的散热性。与绝缘材料的DBR相比,全半导体DBR的折射率差要小许多,因此要达到99%的反射率,需要更多的DBR周期结构,并且还会在反射过程的相位变换中导致较高的色散。理想的全半导体DBR在垂直方向应该有着非常小的串联电阻,顶部发射VCSEL的环形电极还应有非常高的横向电导率。但是因为构成DBR的两种材料的价带不连续,造成了P型DBR的高串联电阻,发热十分严重。
理想的VCSEL需要拥有最大的反射率和良好的散热性。与绝缘材料的DBR相比,全半导体DBR的折射率差要小许多,因此要达到99%的反射率,需要更多的DBR周期结构,并且还会在反射过程的相位变换中导致较高的色散。理想的全半导体DBR在垂直方向应该有着非常小的串联电阻,顶部发射VCSEL的环形电极还应有非常高的横向电导率。但是因为构成DBR的两种材料的价带不连续,造成了P型DBR的高串联电阻,发热十分严重。
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