Question

求解：向Flash芯片中写入数据是怎样一个过程？Programm 和Re-Programm具体是怎样实现的？

问题补充：我知道怎样从Flash芯片读取数据，比如Page对应的字线组电势置为0，其他字线组的电势也有改变，那如果向Flash芯片中写入数据是不是也有类似过程？Erase、Programm 和Re-Programm怎样解释？

Answer 1

是这样的，
首先Flash芯片要求在修改一个Cell中的位的时候，在修改之前，必须先Erase即擦除掉这个Cell。Erase完成之后，Cell中全为1，然后再写入数据。
写入时，当某个Cell的数据位恰好为1，这个Cell的电路就不做任何动作；如果遇到待写入某个Cell的数据位为0，电路将对应Cell的字线电压提高到足以让电子穿过绝缘体的高度，这个电压被加到Control Gate上，从而对Cell中的FG进行充电，Cell的状态从1变为0，完成了写入，这个写0的动作又叫做“Programm”。由于Flash的最常见表现形式——EPRROM一般是只读的，但是一旦要将其中的程序更改，则需要重新写入新程序，即Re-Programm，所以就顺便将写入Flash的过程叫做Programm了。一块崭新的SSD上所有Cell都是已经被Erase好的，也可以使用特殊的程序对整个SSD重新整盘Erase。