如图,边长为L均匀导线制成的单匝正方形闭合线框abcd自磁场上方h高度处自由下落,刚进入磁场时恰好做匀速
如图,边长为L均匀导线制成的单匝正方形闭合线框abcd自磁场上方h高度处自由下落,刚进入磁场时恰好做匀速直线运动.现减小下落的高度h也能使线框在刚进入磁场时就做匀速直线运...
如图,边长为L均匀导线制成的单匝正方形闭合线框abcd自磁场上方h高度处自由下落,刚进入磁场时恰好做匀速直线运动.现减小下落的高度h也能使线框在刚进入磁场时就做匀速直线运动,则可行的方案是( )A.用同种规格的导线,做成边长为2L的单匝线框B.用同种规格的导线,做成边长仍为L的双匝线框C.用同种材料但粗一些的导线,做成边长仍为L的单匝线框D.用密度相同但电阻率较小的导线,做成边长为2L的单匝线框
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设cd边刚进入磁场时的速度为v,cd边产生的电动势 E=BLv
线圈中产生的感应电流 I=
,cd边受到的安培力 F=BIL=
线圈做匀速直线运动,由平衡条件得:
mg=
解得:v=
根据此式得:
A、将L→2L,方程式中的R→2R,m→2m,L→2L,而h减小,v减小,上述等式不成立,所以此方案不行,故A错误.
B、做成边长仍为L的双匝线框,两匝线圈是串联关系,易得:m′=2m,R′=2R,E′=2E,而v减小,上述等式不成立,所以此方案不行,故B错误.
C、设导线的电阻率为ρ电,密度为ρ,边长为L,横截面积是S.
则v=
=
=
,与S、L无关,
可知用同种材料但粗一些的导线,做成边长仍为L的单匝线框上述方程不成立,说明线框不能再做匀速运动,故C错误.
D、用密度相同但电阻率较小的导线,做成边长为2L的单匝线框,v=
能成立,则线框仍做匀速运动,故D正确.
故选:D.
线圈中产生的感应电流 I=
E |
R |
B2L2v |
R |
线圈做匀速直线运动,由平衡条件得:
mg=
B2L2v |
R |
解得:v=
mgR |
B2L2 |
根据此式得:
A、将L→2L,方程式中的R→2R,m→2m,L→2L,而h减小,v减小,上述等式不成立,所以此方案不行,故A错误.
B、做成边长仍为L的双匝线框,两匝线圈是串联关系,易得:m′=2m,R′=2R,E′=2E,而v减小,上述等式不成立,所以此方案不行,故B错误.
C、设导线的电阻率为ρ电,密度为ρ,边长为L,横截面积是S.
则v=
mgR |
B2L2 |
ρ?4LSg?ρ电
| ||
B2L2 |
16gρρ电 |
B2 |
可知用同种材料但粗一些的导线,做成边长仍为L的单匝线框上述方程不成立,说明线框不能再做匀速运动,故C错误.
D、用密度相同但电阻率较小的导线,做成边长为2L的单匝线框,v=
mgR |
B2L2 |
故选:D.
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