关于内存的知识

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天士凯数码17
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1984年,东芝公司的发明人舛冈富士雄首先提出了快速闪存存储器(此处简称闪存)的概念。特点是非易失性,其记录速度也非常快,同时体积小,因此后来被广泛运用于数码相机,掌上电脑,MP3、手机等小型数码产品中。
Intel是世界上第一个生产闪存并将其投放市场的公司,当时为NOR闪存。
1989年日立公司于研制了NAND闪存,逐渐替代了NOR闪存。
PC上的SSD和手机的ROM,本质上是一家人,都是NAND闪存。

手机内存(RAM,随机存取存储器)又称作“随机存储器”,是与CPU直接交换数据的内部存储器,也叫主存(内存)。它可以随时读写,而且速度很快,通常作为操作系统或其他正在运行中的程序的临时数据存储媒介。这种存储器在断电时将丢失其存储内容,故主要用于存储短时间使用的程序。说人话,就是我们常说的手机运行内存。

在PC平台,内存经历了SIMM内存、EDO DRAM内存、SDRAM内存、Rambus DRAM内存、DDR内存的发展,到如今普及到DDR4内存,而手机上采用的LPDDR RAM是“低功耗双倍数据速率内存”的缩写,与桌面平台的DDR4内存相比,面向移动平台的LPDDR4,其能够在带来等效的性能(速度)的同时,兼顾更少的能源消耗。

闪存(Flash Memory)是一种长寿命的非易失性(在断电情况下仍能保持所存储的数据信息)的存储器,即使断电也不会丢失数据,数据删除不是以单个的字节为单位而是以固定的区块为单位(NOR Flash为字节存储。),区块大小一般为256KB到20MB。通俗地说,它就相当于电脑中的硬盘,运行内存在断电后不会保留存储的数据,而要长期保持数据不丢失还是需要将数据从内存写入到硬盘当中。对于电脑这样的桌面设备,我们可以塞进去一块硬盘,而对于手机这样的移动设备,显然就不现实了。

eMMC是非易失性存储器,不论在通电或断电状态下,数据都是可以存储的,而DDR3内存是易失性存储器,断电同时,数据即丢失
eMMC的全称为“embedded Multi Media Card”,即嵌入式的多媒体存储卡。是由MMC协会所订立的、主要是针对手机或平板电脑等产品的内嵌式存储器标准规格。
eMMC的存储容量要比DDR3内存大3-4倍,常见有32G,而DDR3内存容量相对较小,常见有2-16G
2015年前所有主流的智能手机和平板电脑都采用这种存储介质。
emmc 协议

2011年电子设备工程联合委员会(Joint Electron Device En gineering Council,简称JEDEC)发布了第一代通用闪存存储(Universal Flash Storage,简称UFS)标准,即UFS 2.0的前身。
2013年,JEDEC在当年9月发布了UFS 2.0的新一代闪存存储标准,UFS 2.0闪存读写速度理论上可以达到1400MB/s,不仅比eMMC有更巨大的优势,而且它甚至能够让电脑上使用的SSD也相形见绌。
UFS 2.0共有两个版本:
1、HS-G2,也就是目前的UFS 2.0
2、HS-G3,可以称为UFS 2.1,其数据读取速度将飙至1.5G/s

UFS 2.0的闪存规格则采用了新的标准,它使用的是串行接口,很像PATA、SATA的转换。并且它支持全双工运行,可同时读写操作,还支持指令队列
eMMC是半双工,读写必须分开执行,指令也是打包的,在速度上就慢。

DDR、DDR2发展到DDR3,频率更高、电压更低的同时延迟也在不断变大,慢慢改变着内存子系统,而DDR4最重要的使命是提高频率和带宽,每个针脚都可以提供2Gbps(256MB/s)的带宽,拥有高达4266MHz的频率,内存容量最大可达到128GB,运行电压正常可降低到1.2V、1.1V

LPDDR是什么呢?它的全称是Low Power Double Data Rate SDRAM,是DDR的一种,又称为mDDR(Mobile DDR SDRAM),是美国JEDEC固态技术协会(JEDEC Solid State Technology Association)面向低功耗内存而制定的通信标准,以低功耗和小体积著称,专门用于移动式电子产品。

LPDDR的运行电压(工作电压)相比DDR的标准电压要低,从第一代LPDDR到如今的LPDDR4,每一代LPDDR都使内部读取大小和外部传输速度加倍。其中LPDDR4可提供32Gbps的带宽,输入/输出接口数据传输速度最高可达3200Mbps,电压降到了1.1V。至于最新的LPDDR4X,与LPDDR4相同,只是通过将I / O电压降低到0.6 V而不是1.1 V来节省额外的功耗,也就是更省电
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