砷化镓为第三代半导体，以其为材料制造的灯泡寿命长，毫能少，已知砷 20
砷化镓为第三代半导体，以其为材料制造的灯泡寿命长，毫能少，已知砷化镓的晶胞结构如图所示（1）下列说法正确的是A.砷化镓晶胞结构与Nacl相同B.第一电离能AS＞GA.C电...
砷化镓为第三代半导体，以其为材料制造的灯泡寿命长，毫能少，已知砷化镓的晶胞结构如图所示（1）下列说法正确的是A.砷化镓晶胞结构与Nacl相同 B.第一电离能AS＞GA. C电负性AS>GA D.原子半径AS>GA （2）砷化镓可由（CH3)3GA和ASH3在700摄氏度反应下制得，反应方程式为？（3）AsH3空间形状为？已知（CH3）3Ga为非极性分子，其中镓原子的杂化方程式为？（4)请解释金属铜能导电的原因？CU^(2+)的核外电子排布式
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