关于B和S同时变化的电磁感应(原题为2000上海物理23第三问) 求物理高手解答

如图所示,固定于水平桌面上的金属框架cdef,处在垂直纸面向里的匀强磁场中,金属棒动ab在框架上,可无摩擦滑动,此时adcb构成一个边长为L的正方形.棒的电阻为r,其余部... 如图所示,固定于水平桌面上的金属框架cdef,处在垂直纸面向里的匀强磁场中,金属棒动ab在框架上,可无摩擦滑动,此时adcb构成一个边长为L的正方形.棒的电阻为r,其余部分电阻不计,开始时磁感应强度为B。

(3)若从t=0时刻起,磁感应强度逐渐减小.当棒以恒定速度V向右作匀速运动时,可使棒中不产生感应电流,则磁感应强度应怎样随时间变化(写出B与t的关系式)?

关于原题答案用磁通量不变的可以理解 正确答案是B=B0L/(L+vt)
但是我列式为(B-B0)(L+VT)L=BVL 得出来的结果恰好是B0=BL/(L+vt) 与原答案B0和B相反 而我又无法找到自己所列式的错误
PS 另外 我在网上找这道题的时候发现一公式E=(△BS+nB△S)/△T 据说可以用于求B和S同时变化的题 借问这个式子的出处与是否可行 并且我发现如果要用这个式子等到此题标准答案 则列式是代入B应该为B而非原来的B0 代入S应为L平方 而非后来的S

我实在是晕了 跪求高手 为了防百度吞分如果有满意答案会高分追加
展开
 我来答
迷茫的大兔子
2011-03-25
知道答主
回答量:4
采纳率:0%
帮助的人:0
展开全部
你没说你为啥要这么列式
我就按我的理解说了
(B-B0)(L+VT)L=BVL
这个式子的右边(B-B0) 这个是 磁感应强度 。 (L+VT)L这个是面积
所以右边 乘出来 就相当于 B*S 得的是磁通量
左边 BLV是求电动势
两边从单纤伍老位就不等 所以不应该这么列吧 估计你得的结果是巧合

然后 这个式子 E=(△BS+nB△S)/△T 是不是少了个n啊???
我用这个E=N△φ/△t推出来个式子 和你给的挺像的
具体这么推的:
设原来橘裤的磁毁升感应强度是B1 变化后的 是B2 (中间怎么变得就不管了)时间变化是△t
面积之前是 s1之后是s2 条件都是垂直能直接用的那种

E=N△φ/△t=N(B2*S2-B1*S1)/ △t
而s2 = s1+△s
继续代入得 E=N(B2* (s1+△s) -B1*S1)/ △t
=N(B2*S1+B2△s-B1*S1) / △t
把含s1项合并 =N((B2-B1)S1+B2△s)/ △t
=N(△B*S1+B2△S)/ △T
具体题中怎么变 就按题目分析了 俺觉得这式子没啥用 反正各种二级
结论都靠各种定义推出来的,考试还得再写一遍。
你说用E=(△BS+nB△S)/△T 这个算 这题里只有ab在切割 怎么着都没有de产生一个和ab
相抵消的电动势 所以肯定会产生电流 而题目给的条件是没电流
所以不能用这个算
我就能算到这儿了 大概就是这么个意思 你再算算 加油↖(^ω^)↗
追问
抱大腿 姐姐你真的太好人了  我基本都明白了 于是我用E=(N△BS+nB△S)/△T也能算出来正确答案了  难为我说了这么长自己看着都头大你居然看完了  下次有问题再问你吼 熊抱
华芯测试
2024-09-01 广告
磁场低温探针台是华芯测试科技专为高精度半导体及材料测试设计的先进设备。该设备集成了强大的磁场环境与精确的低温控制系统,能够模拟极端测试条件,确保芯片、材料在复杂环境下的性能验证。其精密的探针定位系统,让科研人员能够在微观尺度下,对样品进行高... 点击进入详情页
本回答由华芯测试提供
推荐律师服务: 若未解决您的问题,请您详细描述您的问题,通过百度律临进行免费专业咨询

为你推荐:

下载百度知道APP,抢鲜体验
使用百度知道APP,立即抢鲜体验。你的手机镜头里或许有别人想知道的答案。
扫描二维码下载
×

类别

我们会通过消息、邮箱等方式尽快将举报结果通知您。

说明

0/200

提交
取消

辅 助

模 式