Question

晶体管的主要参数有哪些

Answer 1

晶体管主要参数，晶体管主要参数晶体管的主要参数有电流放大系数、耗散功率、频率特性、集电极最大电流、最大反向电压、反向电流等。

晶体管主要参数

晶体管的主要参数有电流放大系数、耗散功率、频率特性、集电极最大电流、最大反向电压、反向电流等。
　　※ 电流放大系数
　　电流放大系数也称电流放大倍数，用来表示晶体管放大能力。
　　根据晶体管工作状态的不同，电流放大系数又分为直流电流放大系数和交流电流放大系数。
　　1、直流电流放大系数 直流电流放大系数也称静态电流放大系数或直流放大倍数，是指在静态无变化信号输入时，晶体管集电极电流IC与基极电流IB的比值，一般用hFE或β表示。
　　2、交流电流放大系数 交流电流放大系数也称动态电流放大系数或交流放大倍数，是指在交流状态下，晶体管集电极电流变化量△IC与基极电流变化量△IB的比值，一般用hfe或β表示。
　　hFE或β既有区别又关系密切，两个参数值在低频时较接近，在高频时有一些差异。
　　
耗散功率

　　耗散功率也称集电极最大允许耗散功率PCM，是指晶体管参数变化不超过规定允许值时的最大集电极耗散功率。
　　耗散功率与晶体管的最高允许结温和集电极最大电流有密切关系。晶体管在使用时，其实际功耗不允许超过PCM值，否则会造成晶体管因过载而损坏。
　　通常将耗散功率PCM小于1W的晶体管称为小功率晶体管，PCM等于或大于1W、小于5W的晶体管被称为中功率晶体管，将PCM等于或大于5W的晶体管称为大功率晶体管。
　　
频率特性

　　晶体管的电流放大系数与工作频率有关。若晶体管超过了其工作频率范围，则会出现放大能力减弱甚至失去放大作用。
　　晶体管的频率特性参数主要包括特征频率fT和最高振荡频率fM等。
　　1、特征频率fT 晶体管的工作频率超过截止频率fβ或fα时，其电流放大系数β值将随着频率的升高而下降。特征频率是指β值降为1时晶体管的工作频率。
　　通常将特征频率fT小于或等于3MHZ的晶体管称为低频管，将fT大于或等于30MHZ的晶体管称为高频管，将fT大于3MHZ、小于30MHZ的晶体管称为中频管。
　　2、最高振荡频率fM 最高振荡频率是指晶体管的功率增益降为1时所对应的频率。
　　通常，高频晶体管的最高振荡频率低于共基极截止频率fα，而特征频率fT则高于共基极截止频率fα、低于共集电极截止频率fβ。
　　集电极最大电流ICM
　　集电极最大电流是指晶体管集电极所允许通过的最大电流。当晶体管的集电极电流IC超过ICM时，晶体管的β值等参数将发生明显变化，影响其正常工作，甚至还会损坏。
　　最大反向电压
　　最大反向电压是指晶体管在工作时所允许施加的最高工作电压。它包括集电极—发射极反向击穿电压、集电极—基极反向击穿电压和发射极—基极反向击穿电压。
　　1、集电极——集电极反向击穿电压 该电压是指当晶体管基极开路时，其集电极与发射极之间的最大允许反向电压，一般用VCEO或BVCEO表示。
　　2、基极—— 基极反向击穿电压 该电压是指当晶体管发射极开路时，其集电极与基极之间的最大允许反向电压，用VCBO或BVCBO表示。
　　3、发射极——发射极反向击穿电压 该电压是指当晶体管的集电极开路时，其发射极与基极与之间的最大允许反向电压，用VEBO或BVEBO表示。
　　
反向电流

　　晶体管的反向电流包括其集电极—基极之间的反向电流ICBO和集电极—发射极之间的反向击穿电流ICEO。
　　1．集电极——基极之间的反向电流ICBO ICBO也称集电结反向漏电电流，是指当晶体管的发射极开路时，集电极与基极之间的反向电流。ICBO对温度较敏感，该值越小，说明晶体管的温度特性越好。
　　2．集电极——发射极之间的反向击穿电流ICEO ICEO是指当晶体管的基极开路时，其集电极与发射极之间的反向漏电电流，也称穿透电流。此电流值越小，说明晶体管的性能越好。

Answer 2

晶体管的主要参数包括以下几个方面：
最大耗散功率：晶体管能够承受的最大功率，超过这个功率会导致晶体管损坏。
最大反向电压：晶体管能够承受的最大反向电压，超过这个电压会导致PN结击穿。
最大正向电流：晶体管能够承受的最大正向电流，超过这个电流会导致晶体管损坏。
最大频率：晶体管能够承受的最高频率，超过这个频率会导致晶体管不能正常工作。
放大倍数：晶体管的放大倍数是指输出电流与输入电流之比，一般用于放大电路的设计。
饱和电压：晶体管在饱和状态下的电压，一般用于开关电路的设计。
转移电导：晶体管的转移电导是指输出电流与输入电压之比，一般用于放大电路的设计。
噪声系数：晶体管的噪声系数是指输出信号与输入信号之比，一般用于低噪声放大器的设计。
输入电阻：晶体管的输入电阻是指输入端电阻，一般用于放大电路的设计。
输出电阻：晶体管的输出电阻是指输出端电阻，一般用于放大电路的设计。
这些参数是晶体管设计和应用中非常重要的参考指标，不同类型的晶体管具有不同的参数范围，需要根据具体的应用需求进行选择。

Answer 3

①电流放大倍数P。它是衡量晶体管放大能力的一个主要参数，由集电极电流变化量与基极电流变化量的比值来表示，即(3=A/yA/b,p值在20~100之间。（3太高会使晶体管性能不稳定；p太低会导致放大作用不好。

②反向饱和电流/eb0。它是当发射极开路时，集电极与基极间的反向电流。这个数值要求越小越好。

③穿透电流/ce。。它是当基极开路，集电极接反向电压，发射极接正向电压时，流过集电极的电流这个数值越小越好。

Answer 4

我们常用的这种设备晶体管具，参数还是比较多的。
晶体管的主要参数有电流放大系数、耗散功率、频率特性、集电极最大电流、最大反向电压、反向电流等。

Answer 5

晶体管的参数也是设计电路、选用晶体管的依据。主要参数有下面几个： 1、电流放大系数β（—），β 如上所述，当晶体管接成共发射 ... ，电工学习网