DDR和DDR2，DDR3，区别在那里
DDR：
DDR采用一个周期来回传递一次数据，因此传输在同时间加倍，因此就像工作在两倍的工作频率一样。为了直观，以等效的方式命名，因此命名为DDR 200 266 333 400。
DDR2：
DDR2尽管工作频率没有变化，数据传输位宽由DDR的2bit变为4bit，那么同时间传递数据是DDR的两倍，因此也用等效频率命名，分别为DDR2 400 533 667 800。
DDR3：
DDR3内存也没有增加工作频率，继续提升数据传输位宽变为8bit，为DDR2两倍，因此也在同样工作频率下达到更高带宽，因此用等效方式命名DDR3 800 1066 1333 1600。
所以可以看到，如DDR 400 DDR2 800 DDR3 1600内存工作频率没有区别，只是由于传输数据位宽倍增，导致带宽的增加。
而内存的真正工作频率决定于延迟，DDR400与DDR2 800真实工作频率相同，后者带宽是前者一倍，延迟上一样。如果是DDR400与DDR2 667，那后者虽然带宽更大，不过其真实频率反而低一些，延迟上略大。
DDR2与DDR的区别：
1、速率与预取量
DDR2的实际工作频率是DDR的两倍，DDR2内存拥有两倍于标准DDR内存的4bit预期能力。
2、封装与电压
DDR封装为TSOPII，DDR2封装为FBGA；
DDR的标准电压为2.5V，DDR2的标准电压为1.8V。
3、bit pre-fetch
DDR为2bit pre-fetch，DDR2为4bit pre-fetch。
4、新技术的引进
DDR2引入了OCD、ODT和POST
（1）ODT：ODT是内建核心的终结电阻，它的功能是让DQS、RDQS、DQ和DM信号在终结电阻处消耗完，防止这些信号在电路上形成反射；
（2）Post CAS：它是为了提高DDR2内存的利用效率而设定的；
在没有前置CAS功能时，对其他L-Bank的寻址操作可能会因当前行的CAS命令占用地址线而延后，并使数据I/O总线出现空闲，当使用前置CAS后，消除了命令冲突并使数据I/O总线的利率提高。
（3）OCD（Off-Chip Driver）：离线驱动调整，DDR2通过OCD可以提高信号的完整性 OCD的作用在于调整DQS与DQ之间的同步，以确保信号的完整与可靠性，OCD的主要用意在于调整I/O接口端的电压，来补偿上拉与下拉电阻值，目的是让DQS与DQ数据信号间的偏差降低到最小。
调校期间，分别测试DQS高电平和DQ高电平，与DQS低电平和DQ高电平时的同步情况，如果不满足要求，则通过设定突发长度的地址线来传送上拉/下拉电阻等级，直到测试合格才退出OCD操作。
DDR3与DDR2的区别：
1、DDR2为1.8V，DDR3为1.5V；
2、DDR3采用CSP和FBGA封装，8bit芯片采用78球FBGA封装，16bit芯片采用96球FBGA封装，而DDR2则有60/68/84球FBGA封装三种规格；
3、逻辑Bank数量，DDR2有4Bank和8Bank，而DDR3的起始Bank8个；
4、突发长度，由于DDR3的预期为8bit,所以突发传输周期（BL，Burst Length）也固定位8，而对于DDR2和早期的DDR架构的系统，BL=4也是常用的；
DDR3为此增加了一个4-bitBurst Chop（突发突变）模式，即由一个BL=4的读取操作加上一个BL=4的写入操作来合成一个BL=8的数据突发传输，届时可通过A112位地址线来控制这一突发模式；
5、寻址时序（Timing），DDR2的AL为0~4，DDR3为0、CL-1和CL-2，另外DDR3还增加了一个时序参数——写入延迟（CWD）；
6、bit pre-fetch：DDR2为4bit pre-fetch,DDR3为8bit pre-fetch；
7、新增功能，ZQ是一个新增的引脚，在这个引脚上接有240欧姆的低公差参考电阻，新增裸露SRT（Self-Reflash Temperature）可编程化温度控制存储器时钟频率功能。
新增PASR（PartialArray Self-Refresh）局部Bank刷新的功能，可以说针对整个存储器Bank做更有效的数据读写以达到省电功效；
8、DDR3的参考电压分成两个，即为命令与地址信号服务的VREFCA和为数据总线服务的VREFDQ，这将有效低提高系统数据总线的信噪等级；
9、点对点连接（point-to-point,p2p），这是为了提高系统性能而进行的重要改动。
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它们之间的主要区别在于以下几个方面：
1. 频率：DDR2和DDR3的频率相对较高，比DDR的频率更快。DDR的频率通常在200-400 MHz之间，而DDR2和DDR3的频率可以达到1 GHz以上。
2. 电压：DDR2和DDR3相对于DDR，要求较低的操作电压。DDR的操作电压约为2.5伏特，而DDR2是1.8伏特，DDR3是1.5伏特。低电压可以减少功耗和散热，有利于提高计算机的稳定性和性能。
3. 插槽：DDR2和DDR3使用不同的插槽类型。DDR采用184引脚的DIMM插槽，而DDR2和DDR3则采用240引脚的DIMM插槽。这意味着它们的物理接口是不兼容的，无法互相插拔。
4. 带宽：DDR2和DDR3具有更高的带宽，可以同时传输更多的数据。DDR2的带宽相对DDR提高了一倍，DDR3相对DDR2又提高了一倍。这使得DDR2和DDR3在处理大量数据时更快速和高效。
5. 容量：随着技术的进步，DDR、DDR2和DDR3的最大支持内存容量也逐渐增加。DDR最大支持的内存容量通常为1GB，而DDR2和DDR3可以支持更大的容量，达到数GB甚至GB级别。
总的来说，DDR2和DDR3相对于DDR有更高的频率、更低的电压、更大的容量和更高的带宽，因此在性能上更为出色。然而，由于物理接口不兼容，不同类型的内存不能混用。选购内存时要根据自己的需求和主板规格来选择合适的型号。
