怎么样才能判断三极管是工作在放大区,还是饱和区还是截止区
三极管构成的放大电路,在实际应用中,除了用做放大器外(在放大区),三极管还有两种工作状态,即饱和与截止状态。
1.截止状态所谓截止,就是三极管在工作时,集电极电流始终为0。此时,集电极与发射极间电压接近电源电压。对于NPN 型硅三极管来说,当U be在0~0.5V 之间时,I b很小,无论I b怎样变化,I c都为0。
此时,三极管的内阻(Rce)很大,三极管截止。当在维修过程中,测得U be低于0.5V 或Uce接近电源电压时,就可知道三极管处在截止状态。
2.当 U be在0.5~0.7V 之间时,U be的微小变化就能引起I b的较大变化,I b随U be基本呈线性变化,从而引起I c的较大变化(I c=βI b)。
这时三极管处于放大状态,集电极与发射极间电阻(Rce)随U be可变。当在维修过程中,测得U be在0.5~0.7V 之间时,就可知道三极管处在放大状态。
3.饱和状态
当三极管的基极电流(I b)达到某一值后,三极管的基极电流无论怎样变化,集电极电流都不再增大,一直处于最大值,这时三极管就处于饱和状态。
三极管的饱和状态是以三极管集电极电流来表示的,但测量三极管的电流很不方便,可以通过测量三极管的电压U be及U ce来判断三极管是否进入饱和状态。当U be略大于0.7V 后,无论U be怎样变化,三极管的I c将不能再增大。
此时三极管内阻(Rce)很小,U ce 低于0.1V,这种状态称为饱和。三极管在饱和时的U ce 称为饱和压降。当在维修过程中测量到U be在0.7V 左右、而U ce低于0.1V 时,就可知道三极管处在饱和状态。
扩展资料:
放大原理
1、发射区向基区发射电子
电源Ub经过电阻Rb加在发射结上,发射结正偏,发射区的多数载流子(自由电子)不断地越过发射结进入基区,形成发射极电流Ie。同时基区多数载流子也向发射区扩散,但由于多数载流子浓度远低于发射区载流子浓度,可以不考虑这个电流,因此可以认为发射结主要是电子流。
2、基区中电子的扩散与复合
电子进入基区后,先在靠近发射结的附近密集,渐渐形成电子浓度差,在浓度差的作用下,促使电子流在基区中向集电结扩散,被集电结电场拉入集电区形成集电极电流Ic。也有很小一部分电子(因为基区很薄)与基区的空穴复合,扩散的电子流与复合电子流之比例决定了三极管的放大能力。
3、集电区收集电子
由于集电结外加反向电压很大,这个反向电压产生的电场力将阻止集电区电子向基区扩散,同时将扩散到集电结附近的电子拉入集电区从而形成集电极主电流Icn。另外集电区的少数载流子(空穴)也会产生漂移运动,流向基区形成反向饱和电流,用Icbo来表示,其数值很小,但对温度却异常敏感。
晶体三极管,是半导体基本元器件之一,具有电流放大作用,是电子电路的核心元件。三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结,两个PN结把正块半导体分成三部分,中间部分是基区,两侧部分是发射区和集电区,排列方式有PNP和NPN两种,
从三个区引出相应的电极,分别为基极b发射极e和集电极c。
发射区和基区之间的PN结叫发射结,集电区和基区之间的PN结叫集电结。基区很薄,而发射区较厚,杂质浓度大,PNP型三极管发射区"发射"的是空穴,其移动方向与电流方向一致,故发射极箭头向里。
NPN型三极管发射区"发射"的是自由电子,其移动方向与电流方向相反,故发射极箭头向外。发射极箭头向外。发射极箭头指向也是PN结在正向电压下的导通方向。硅晶体三极管和锗晶体三极管都有PNP型和NPN型两种类型。
三极管的封装形式和管脚识别
常用三极管的封装形式有金属封装和塑料封装两大类,引脚的排列方式具有一定的规律,
底视图位置放置,使三个引脚构成等腰三角形的顶点上,从左向右依次为e b c;对于中小功率塑料三极管按图使其平面朝向自己,三个引脚朝下放置,则从左到右依次为e b c。
参考资料:百度百科——三极管
2024-07-24 广告