加在晶体二极管的正向电压小于死区电压时，二极管（），硅管的死区电压（），锗管的死区电压（），加在...
加在晶体二极管的正向电压小于死区电压时，二极管（），硅管的死区电压（），锗管的死区电压（），加在其两端的正向电压大于死区电压时，二极管导通，导通后，硅管的正向压降为（），...
加在晶体二极管的正向电压小于死区电压时，二极管（），硅管的死区电压（），锗管的死区电压（），加在其两端的正向电压大于死区电压时，二极管导通，导通后，硅管的正向压降为（），锗管的为（）
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截止 硅管的死区电压0.5V 锗管的死区电压0.2V
导通 硅管的正向压降为0.7V 锗管的正向压降0.3V
导通 硅管的正向压降为0.7V 锗管的正向压降0.3V
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截止，0.65V以下，0.2V以下，0.65V 。2V
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