7个回答
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半导体。
在磁场不太强时,霍尔电势差UH与激励电流I和磁感应强度B的乘积成正比,与霍尔片的厚度δ成反比,即UH =RH*I*B/δ,式中的RH称为霍尔系数,表示霍尔效应的强弱。 另RH=μ*ρ即霍尔常数等于霍尔片材料的电阻率ρ与电子迁移率μ的乘积。
扩展资料:
注意事项:
根据霍尔电压产生的公式,以及在外加磁场中测量的霍尔电压可以判断传导载流子的极性与浓度,这种方式被广泛的利用于半导体中掺杂载体的性质与浓度的测量上。
只要测出霍尔电压VBB,即可算出磁场B的大小,并且若知载流子类型(n型半导体多数载流子为电子,P型半导体多数载流子为空穴),则由VBB'的正负可测出磁场方向,反之,若已知磁场方向,则可判断载流子类型。
参考资料来源:百度百科-霍尔元件
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对制造霍尔片的材料的要求是霍尔板材料有比较低的迁移率,并且霍尔板要尽可能的对称且均匀。
霍尔片的工作原理如下:
指磁场作用于载流金属导体、半导体中的载流子时,产生横向电位差的物理现象。金属的霍尔效应是1879年被美国物理学家霍尔发现的。当电流通过金属箔片时,若在垂直于电流的方向施加磁场,则金属箔片两侧面会出现横向电位差。半导体中的霍尔效应比金属箔片中更为明显,而铁磁金属在居里温度以下将呈现极强的霍尔效应。由于通电导线周围存在磁场,其大小和导线中的电流成正比,故可以利用霍尔元件测量出磁场,就可确定导线电流的大小。利用这一原理可以设计制成霍尔电流传感器。其优点是不和被测电路发生电接触,不影响被测电路,不消耗被测电源的功率,特别适合于大电流传感。
霍尔片的工作原理如下:
指磁场作用于载流金属导体、半导体中的载流子时,产生横向电位差的物理现象。金属的霍尔效应是1879年被美国物理学家霍尔发现的。当电流通过金属箔片时,若在垂直于电流的方向施加磁场,则金属箔片两侧面会出现横向电位差。半导体中的霍尔效应比金属箔片中更为明显,而铁磁金属在居里温度以下将呈现极强的霍尔效应。由于通电导线周围存在磁场,其大小和导线中的电流成正比,故可以利用霍尔元件测量出磁场,就可确定导线电流的大小。利用这一原理可以设计制成霍尔电流传感器。其优点是不和被测电路发生电接触,不影响被测电路,不消耗被测电源的功率,特别适合于大电流传感。
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霍尔系数:Rh=pu;
其中:p,u分别 为材料的电阻率和载流子的迁移率;
p和u越大,由灵敏度Kh=Rh/d,则灵敏度越大;
金属材料:载流子的迁移率u大;电阻率P小;
绝缘体:电阻率p大;载流子的迁移率u小;
半导体材料才是最佳选择!!
其中:p,u分别 为材料的电阻率和载流子的迁移率;
p和u越大,由灵敏度Kh=Rh/d,则灵敏度越大;
金属材料:载流子的迁移率u大;电阻率P小;
绝缘体:电阻率p大;载流子的迁移率u小;
半导体材料才是最佳选择!!
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现实中霍尔是用半导体材料做的,一般是Si或者InSb 金属因为霍尔效应很微弱是不可行的
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老师你太狠了…
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