mos管烧坏存在的问题点有哪些
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GS耐压不够高是主要原因,另外DS间导通时电流过大也容易烧管子。
mos管是金属(metal)-氧化物(oxid)-半导体(semiconductor)场效应晶体管，或者称是金属-绝缘体(insulator)-半导体。MOS管的source和drain是可以对调的，他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下，这个两个区是一样的，即使两端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是对称的。
mos管是金属(metal)-氧化物(oxid)-半导体(semiconductor)场效应晶体管，或者称是金属-绝缘体(insulator)-半导体。MOS管的source和drain是可以对调的，他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下，这个两个区是一样的，即使两端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是对称的。
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GS耐压不够高是主要原因，另外DS间导通时电流过大也容易烧管子。
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驱动信号也要看看，如果驱动不良，产生驱动振荡，发热过量，也会爆。
但绝大多数都是DS电流过高，或VDS过压
但绝大多数都是DS电流过高，或VDS过压
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