pn结是怎么回事 p半导体是含空穴多的吧,n是电子多的吧,(这也不符合我知道的电子在原子周围的分布原理)
处于没有外接电路时就是所谓的稳定状态时,p结部分是自由电子多呢还是空穴多,pn部分的靠近p的部分是那个多,,;同样的靠近n结部分与n结呢,当施以所谓的正偏p断接电源正极时...
处于没有外接电路时 就是所谓的稳定状态时,p结部分是自由电子多呢还是空穴多,pn部分的靠近p的部分是那个多,,;同样的靠近n结部分与n结呢,
当施以所谓的正偏 p断接电源正极时,我不提及电流的方向,就说电子是怎么移动的,由哪部分到哪里 ,又为什么能源源不断的有电子流,不是把空穴填满就拉倒了吗
一楼八成是正解 可惜我不懂什么价带 什么漂移作用,要不我也不会提问题了 展开
当施以所谓的正偏 p断接电源正极时,我不提及电流的方向,就说电子是怎么移动的,由哪部分到哪里 ,又为什么能源源不断的有电子流,不是把空穴填满就拉倒了吗
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1 空穴是一种等效粒子,如果价带的大量电子中有1个电子被激发到导带成为自由电子,则等效于价带中含有一个空穴,由于导带的自由电子可以导电,因此空穴在价带相应具有这一行为。价带中空穴的移动实际上是价带中大量电子移动的等效结果。
2 p型半导体并非含空穴多,而是价带中可导电的空穴比本征半导体的价带多,但这只是导电潜力,电子数和空穴数仍然完全相等,以保持电中性。n型半导体也非电子多,而是导带中的自由电子比本征半导体的导带多,电子数和空穴数也完全相等,并呈现电中性。这与电子在原子周围的分布没有任何冲突。
3 形成PN结后不存在P结或N结,只余族存在P型区、N型区和空间电荷区(PN结区)。电子和空穴的分别由N型区和P型区向另一侧扩散,形成空间电荷区,由于电荷数不平衡,空间电荷区产生反向电场阻止扩散运动并产生漂移,扩散与漂移完全抵消,即进入动态平衡。因此在PN结宏观上仍然都是电中性,在PN结空间电荷区P型侧电子多,N型侧空穴多,但并不产生电流,这是扩散与漂移抵消的结果。
4 正偏PN结导通后,由于正偏抵消空间电荷区电场,漂移作用大于扩散作用产生漂移电流,但不只限于电子漂移,空穴也同时漂移。电源负极向N型区连续提供电子,电子不断由N型区穿过空间电荷区进入P型区,蔽笑一部分与P型区空穴复合,一部分漂移流入电源正极,同时电源正极向P型区提供空穴(实际为吸收P型区导带上可怜的几个自由电子),P型宏毁含区空穴穿越空间电荷区进入N型区,一部分与N型区电子复合,一部分漂移流入电源负极(实际为电源负极补充被复合的电子)。空穴流和电子流虽然方向相反,但电荷也相反,因此共同构成PN结电流,只是不同正偏电压下,复合和漂移的程度不同,因此宏观电流也不同,正偏电压越高,漂移在电流中比例越大,宏观电流越大。
5 你恰恰忽略了正偏时居于主要地位的漂移电流,而所谓填满空穴只是复合电流。
2 p型半导体并非含空穴多,而是价带中可导电的空穴比本征半导体的价带多,但这只是导电潜力,电子数和空穴数仍然完全相等,以保持电中性。n型半导体也非电子多,而是导带中的自由电子比本征半导体的导带多,电子数和空穴数也完全相等,并呈现电中性。这与电子在原子周围的分布没有任何冲突。
3 形成PN结后不存在P结或N结,只余族存在P型区、N型区和空间电荷区(PN结区)。电子和空穴的分别由N型区和P型区向另一侧扩散,形成空间电荷区,由于电荷数不平衡,空间电荷区产生反向电场阻止扩散运动并产生漂移,扩散与漂移完全抵消,即进入动态平衡。因此在PN结宏观上仍然都是电中性,在PN结空间电荷区P型侧电子多,N型侧空穴多,但并不产生电流,这是扩散与漂移抵消的结果。
4 正偏PN结导通后,由于正偏抵消空间电荷区电场,漂移作用大于扩散作用产生漂移电流,但不只限于电子漂移,空穴也同时漂移。电源负极向N型区连续提供电子,电子不断由N型区穿过空间电荷区进入P型区,蔽笑一部分与P型区空穴复合,一部分漂移流入电源正极,同时电源正极向P型区提供空穴(实际为吸收P型区导带上可怜的几个自由电子),P型宏毁含区空穴穿越空间电荷区进入N型区,一部分与N型区电子复合,一部分漂移流入电源负极(实际为电源负极补充被复合的电子)。空穴流和电子流虽然方向相反,但电荷也相反,因此共同构成PN结电流,只是不同正偏电压下,复合和漂移的程度不同,因此宏观电流也不同,正偏电压越高,漂移在电流中比例越大,宏观电流越大。
5 你恰恰忽略了正偏时居于主要地位的漂移电流,而所谓填满空穴只是复合电流。
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P_POSITIVE (正)
N_NEGATIVE(负)
P端正 空穴就会去N端 电子去P端 然后再PN节交接面形成内置场强。只要外加电压不够大 这个内部场强就会抵消外部电压,迅脊搜所以不会有野耐电流流动
这个原理可以用来做稳压管
但是外部电压过大 就亩历可能会烧坏PN节 形成雪崩效应。这样您讲的持续电流就有可能实现。
比较菜的见解 仅作参考
我的答案太肤浅 楼上正解
N_NEGATIVE(负)
P端正 空穴就会去N端 电子去P端 然后再PN节交接面形成内置场强。只要外加电压不够大 这个内部场强就会抵消外部电压,迅脊搜所以不会有野耐电流流动
这个原理可以用来做稳压管
但是外部电压过大 就亩历可能会烧坏PN节 形成雪崩效应。这样您讲的持续电流就有可能实现。
比较菜的见解 仅作参考
我的答案太肤浅 楼上正解
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与外部电源一起形成一个完整的电流通路才有源源不陵迹断的李哪电子流,不只是依靠半导体中的电子空穴对,受到外部电场的作用,空穴不会被填满,电子会继尺扰并续移动到电源正极
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