pn结是怎么回事 p半导体是含空穴多的吧,n是电子多的吧,(这也不符合我知道的电子在原子周围的分布原理)
处于没有外接电路时就是所谓的稳定状态时,p结部分是自由电子多呢还是空穴多,pn部分的靠近p的部分是那个多,,;同样的靠近n结部分与n结呢,当施以所谓的正偏p断接电源正极时...
处于没有外接电路时 就是所谓的稳定状态时,p结部分是自由电子多呢还是空穴多,pn部分的靠近p的部分是那个多,,;同样的靠近n结部分与n结呢,
当施以所谓的正偏 p断接电源正极时,我不提及电流的方向,就说电子是怎么移动的,由哪部分到哪里 ,又为什么能源源不断的有电子流,不是把空穴填满就拉倒了吗
一楼八成是正解 可惜我不懂什么价带 什么漂移作用,要不我也不会提问题了 展开
当施以所谓的正偏 p断接电源正极时,我不提及电流的方向,就说电子是怎么移动的,由哪部分到哪里 ,又为什么能源源不断的有电子流,不是把空穴填满就拉倒了吗
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1 空穴是一种等效粒子,如果价带的大量电子中有1个电子被激发到导带成为自由电子,则等效于价带中含有一个空穴,由于导带的自由电子可以导电,因此空穴在价带相应具有这一行为。价带中空穴的移动实际上是价带中大量电子移动的等效结果。
2 p型半导体并非含空穴多,而是价带中可导电的空穴比本征半导体的价带多,但这只是导电潜力,电子数和空穴数仍然完全相等,以保持电中性。n型半导体也非电子多,而是导带中的自由电子比本征半导体的导带多,电子数和空穴数也完全相等,并呈现电中性。这与电子在原子周围的分布没有任何冲突。
3 形成PN结后不存在P结或N结,只存在P型区、N型区和空间电荷区(PN结区)。电子和空穴的分别由N型区和P型区向另一侧扩散,形成空间电荷区,由于电荷数不平衡,空间电荷区产生反向电场阻止扩散运动并产生漂移,扩散与漂移完全抵消,即进入动态平衡。因此在PN结宏观上仍然都是电中性,在PN结空间电荷区P型侧电子多,N型侧空穴多,但并不产生电流,这是扩散与漂移抵消的结果。
4 正偏PN结导通后,由于正偏抵消空间电荷区电场,漂移作用大于扩散作用产生漂移电流,但不只限于电子漂移,空穴也同时漂移。电源负极向N型区连续提供电子,电子不断由N型区穿过空间电荷区进入P型区,一部分与P型区空穴复合,一部分漂移流入电源正极,同时电源正极向P型区提供空穴(实际为吸收P型区导带上可怜的几个自由电子),P型区空穴穿越空间电荷区进入N型区,一部分与N型区电子复合,一部分漂移流入电源负极(实际为电源负极补充被复合的电子)。空穴流和电子流虽然方向相反,但电荷也相反,因此共同构成PN结电流,只是不同正偏电压下,复合和漂移的程度不同,因此宏观电流也不同,正偏电压越高,漂移在电流中比例越大,宏观电流越大。
5 你恰恰忽略了正偏时居于主要地位的漂移电流,而所谓填满空穴只是复合电流。
2 p型半导体并非含空穴多,而是价带中可导电的空穴比本征半导体的价带多,但这只是导电潜力,电子数和空穴数仍然完全相等,以保持电中性。n型半导体也非电子多,而是导带中的自由电子比本征半导体的导带多,电子数和空穴数也完全相等,并呈现电中性。这与电子在原子周围的分布没有任何冲突。
3 形成PN结后不存在P结或N结,只存在P型区、N型区和空间电荷区(PN结区)。电子和空穴的分别由N型区和P型区向另一侧扩散,形成空间电荷区,由于电荷数不平衡,空间电荷区产生反向电场阻止扩散运动并产生漂移,扩散与漂移完全抵消,即进入动态平衡。因此在PN结宏观上仍然都是电中性,在PN结空间电荷区P型侧电子多,N型侧空穴多,但并不产生电流,这是扩散与漂移抵消的结果。
4 正偏PN结导通后,由于正偏抵消空间电荷区电场,漂移作用大于扩散作用产生漂移电流,但不只限于电子漂移,空穴也同时漂移。电源负极向N型区连续提供电子,电子不断由N型区穿过空间电荷区进入P型区,一部分与P型区空穴复合,一部分漂移流入电源正极,同时电源正极向P型区提供空穴(实际为吸收P型区导带上可怜的几个自由电子),P型区空穴穿越空间电荷区进入N型区,一部分与N型区电子复合,一部分漂移流入电源负极(实际为电源负极补充被复合的电子)。空穴流和电子流虽然方向相反,但电荷也相反,因此共同构成PN结电流,只是不同正偏电压下,复合和漂移的程度不同,因此宏观电流也不同,正偏电压越高,漂移在电流中比例越大,宏观电流越大。
5 你恰恰忽略了正偏时居于主要地位的漂移电流,而所谓填满空穴只是复合电流。
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P_POSITIVE (正)
N_NEGATIVE(负)
P端正 空穴就会去N端 电子去P端 然后再PN节交接面形成内置场强。只要外加电压不够大 这个内部场强就会抵消外部电压,所以不会有电流流动
这个原理可以用来做稳压管
但是外部电压过大 就可能会烧坏PN节 形成雪崩效应。这样您讲的持续电流就有可能实现。
比较菜的见解 仅作参考
我的答案太肤浅 楼上正解
N_NEGATIVE(负)
P端正 空穴就会去N端 电子去P端 然后再PN节交接面形成内置场强。只要外加电压不够大 这个内部场强就会抵消外部电压,所以不会有电流流动
这个原理可以用来做稳压管
但是外部电压过大 就可能会烧坏PN节 形成雪崩效应。这样您讲的持续电流就有可能实现。
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与外部电源一起形成一个完整的电流通路才有源源不断的电子流,不只是依靠半导体中的电子空穴对,受到外部电场的作用,空穴不会被填满,电子会继续移动到电源正极
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