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三极管与场效应管的区别
场效应管是场效应晶体管(Field Effect Transistor,FET)的简称。它属于电压控制型半导体器件,具有输入电阻高、噪声小、功耗低、没有二次击穿现象、安全工作区域宽、受温度和辐射影响小等优点,特别适用于高灵敏度和低噪声的电路,现已成为普通晶体管的强大竞争者。
普通晶体管(三极管)是一种电流控制元件,工作时,多数载流子和少数载流子都参与运行,所以被称为双极型晶体管;而场效应管(FET)是一种电压控制器件(改变其栅源电压就可以改变其漏极电流),工作时,只有一种载流子参与导电,因此它是单极型晶体管。
场效应管和三极管一样都能实现信号的控制和放大,但由于他们构造和工作原理截然不同,所以二者的差异很大。在某些特殊应用方面,场效应管优于三极管,是三极管无法替代的,三极管与场效应管区别见下表。
场效应管是电压控制元件,而三极管是电流控制元件。在只允许从信号源取较少电流的情况下,应选用场效应管。而在信号源电压较低,又允许从信号源取较多电流的条件下,应用三极管。
场效应管靠多子导电,管中运动的只是一种极性的载流子;三极管既用多子,又利用少子。由于多子浓度不易受外因的影响,因此在环境变化较强烈的场合,采用场效应管比较合适。
场效应管的输入电阻高,适用于高输入电阻的场合。场效应管的噪声系数小,适用于低噪声放大器的前置级。
场效应管是场效应晶体管(Field Effect Transistor,FET)的简称。它属于电压控制型半导体器件,具有输入电阻高、噪声小、功耗低、没有二次击穿现象、安全工作区域宽、受温度和辐射影响小等优点,特别适用于高灵敏度和低噪声的电路,现已成为普通晶体管的强大竞争者。
普通晶体管(三极管)是一种电流控制元件,工作时,多数载流子和少数载流子都参与运行,所以被称为双极型晶体管;而场效应管(FET)是一种电压控制器件(改变其栅源电压就可以改变其漏极电流),工作时,只有一种载流子参与导电,因此它是单极型晶体管。
场效应管和三极管一样都能实现信号的控制和放大,但由于他们构造和工作原理截然不同,所以二者的差异很大。在某些特殊应用方面,场效应管优于三极管,是三极管无法替代的,三极管与场效应管区别见下表。
场效应管是电压控制元件,而三极管是电流控制元件。在只允许从信号源取较少电流的情况下,应选用场效应管。而在信号源电压较低,又允许从信号源取较多电流的条件下,应用三极管。
场效应管靠多子导电,管中运动的只是一种极性的载流子;三极管既用多子,又利用少子。由于多子浓度不易受外因的影响,因此在环境变化较强烈的场合,采用场效应管比较合适。
场效应管的输入电阻高,适用于高输入电阻的场合。场效应管的噪声系数小,适用于低噪声放大器的前置级。
参考资料: http://apps.hi.baidu.com/share/detail/18595507
创远信科
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场效应管、可控硅、三极管外形很相似,一般都只能以型号来区分,如型号不清则可试试用万用表测量电极间电阻大小方法来区别。
一,三极管。因为三极管 的基极对其它两极都是一个PN结,当你用表循环测量到某个电极对其它两极都能呈现出低阻或高阻时,那么基本可以断定这是三极管。而其它两种管子都不具有这样的特性。
二,场效应管。此管的源极与漏极常可以互换使用,而且两极间呈现电阻性,用表笔正反测量这两极电阻差别不大,而其它两种管子却没有这样的现象。
一,三极管。因为三极管 的基极对其它两极都是一个PN结,当你用表循环测量到某个电极对其它两极都能呈现出低阻或高阻时,那么基本可以断定这是三极管。而其它两种管子都不具有这样的特性。
二,场效应管。此管的源极与漏极常可以互换使用,而且两极间呈现电阻性,用表笔正反测量这两极电阻差别不大,而其它两种管子却没有这样的现象。
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三极管和场效应管都可以用来做开关管,那么他们的区别是什么?
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三极管的机构是由P型和N型半导体结合而成,构成PNP或NPN的三极管,一般使用于模拟电路中居多,最常用的模拟芯片驱动电路等。
场效应管的内部是同一块N或P的半导体材料上经过处理,而三极管需要P和N种材料构成。MOS管是场效应管的主流器件,它的高输入阻抗特性使得它被几乎所有的数字电路采纳,日常所用的电脑CPU,内存条上的芯片,里面全是由上亿万个MOS管配合工作!
以上是不同点。
相同点在于他们的材料都是硅或锗构成。而且他们是完成电信号放大的任务。
场效应管的内部是同一块N或P的半导体材料上经过处理,而三极管需要P和N种材料构成。MOS管是场效应管的主流器件,它的高输入阻抗特性使得它被几乎所有的数字电路采纳,日常所用的电脑CPU,内存条上的芯片,里面全是由上亿万个MOS管配合工作!
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相同点在于他们的材料都是硅或锗构成。而且他们是完成电信号放大的任务。
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