Question

IGBT MOSFET 可控硅 各有什么特点和缺点，适用的场合，价格比较

Answer 1

MOSFET是由电压控制器件，开关速度比三极管快，内阻比三极管低。所以适合做开关管，开关损耗低。
IGBT 结构上是电压控制的三极管。开关速度比MOSFET慢些，特别是off time. 但是，它容易做到高电压，大电流。所以，像动车组，电动汽车等都用它（反相击穿电压几千伏）。由于它导通后会像三极管一样有CE电压。所以不适合用于低电压电路，相对来说开关损耗会变大。
可控硅了解不多，它只能是导通和截止，不像MOS和IGBT会有放大状态。
价格应该可控硅最贵，IGBT次之，MOSFET最便宜。