三极管驱动蜂鸣器问题!
1、NPN三极管驱动蜂鸣器的话首先是不是基极高电平集电极接负载接VCC发射极接地2、PNP三极管驱动蜂鸣器的话首先是不是基极接低电平集电极接负载接地发射极接VCC。如果上...
1、NPN三极管驱动蜂鸣器的话 首先是不是 基极高电平 集电极接负载接VCC 发射极接地
2、PNP三极管驱动蜂鸣器的话 首先是不是 基极接低电平 集电极接负载接地 发射极接VCC。
如果上述正确话 对于三极管开关作用 饱和导通状态 发射极处于正向偏置 集电极也处于正向偏置 但在上述1、2表述中 这个理论怎么和1、2匹配的呢?知道原理后(若原理错误 求指正) 但在实际中不知道怎么匹配的应用?求指教 分别解释1、2.
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2、PNP三极管驱动蜂鸣器的话 首先是不是 基极接低电平 集电极接负载接地 发射极接VCC。
如果上述正确话 对于三极管开关作用 饱和导通状态 发射极处于正向偏置 集电极也处于正向偏置 但在上述1、2表述中 这个理论怎么和1、2匹配的呢?知道原理后(若原理错误 求指正) 但在实际中不知道怎么匹配的应用?求指教 分别解释1、2.
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1、NPN三极管驱动蜂鸣器的话,应该是:基极接高电平、集电极接负载接VCC、发射极接地。
2、PNP三极管驱动蜂鸣器的话,应该是:基极接低电平、集电极接负载接地、发射极接VCC。
三极管都是处于:饱和导通状态,发射极处于正向偏置,集电极也处于正向偏置。
上述电路基本正确,只是没有说明限流电阻。
上述三极管状态说明都是正确的。
2、PNP三极管驱动蜂鸣器的话,应该是:基极接低电平、集电极接负载接地、发射极接VCC。
三极管都是处于:饱和导通状态,发射极处于正向偏置,集电极也处于正向偏置。
上述电路基本正确,只是没有说明限流电阻。
上述三极管状态说明都是正确的。
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如果上述正确话 对于三极管开关作用 饱和导通状态 发射极处于正向偏置 集电极也处于正向偏置 但在上述1、2表述中 这个理论怎么和1、2匹配的呢?知道原理后(若原理错误 求指正) 但在实际中不知道怎么匹配的应用?求指教 分别解释1、2.
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1、NPN三极管驱动蜂鸣器:
基极接高电平,发射极接地,be结将导通;
集电极接负载接VCC,bc结,也将导通。
NPN三极管,就处于饱和状态。
这就是理论。
2、PNP。。。同上分析即可。
实际的匹配,需要知道负载电阻、等等参数,才能计算,达到数值上的匹配。
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晶体三极管(以下简称三极管)按材料分有两种:锗管和硅管。而每一种又有NPN和PNP两种结构形式,但使用最多的是硅NPN和锗PNP两种三极管,(其中,N表示在高纯度硅中加入磷,是指取代一些硅原子,在电压刺激下产生自由电子导电,而p是加入硼取代硅,产生大量空穴利于导电)。两者除了电源极性不同外,其工作原理都是相同的,下面仅介绍NPN硅管的电流放大原理。 对于NPN管,它是由2块N型半导体中间夹着一块P型半导体所组成,发射区与基区之间形成的PN结称为发射结,而集电区与基区形成的PN结称为集电结,三条引线分别称为发射极e、基极b和集电极c。 当b点电位高于e点电位零点几伏时,发射结处于正偏状态,而C点电位高于b点电位几伏时,集电结处于反偏状态,集电极电源Ec要高于基极电源Ebo。 在制造三极管时,有意识地使发射区的多数载流子浓度大于基区的,同时基区做得很薄,而且,要严格控制杂质含量,这样,一旦接通电源后,由于发射结正偏,发射区的多数载流子(电子)及基区的多数载流子(空穴)很容易地越过发射结互相向对方扩散,但因前者的浓度基大于后者,所以通过发射结的电流基本上是电子流,这股电子流称为发射极电流了。 由于基区很薄,加上集电结的反偏,注入基区的电子大部分越过集电结进入集电区而形成集电集电流Ic,只剩下很少(1-10%)的电子在基区的空穴进行复合,被复合掉的基区空穴由基极电源Eb重新补给,从而形成了基极电流Ibo.根据电流连续性原理得: Ie=Ib+Ic 这就是说,在基极补充一个很小的Ib,就可以在集电极上得到一个较大的Ic,这就是所谓电流放大作用,Ic与Ib是维持一定的比例关系,即: β1=Ic/Ib 式中:β1--称为直流放大倍数, 集电极电流的变化量△Ic与基极电流的变化量△Ib之比为: β= △Ic/△Ib 式中β--称为交流电流放大倍数,由于低频时β1和β的数值相差不大,所以有时为了方便起见,对两者不作严格区分,β值约为几十至一百多。 三极管是一种电流放大器件,但在实际使用中常常利用三极管的电流放大作用,通过电阻转变为电压放大作用。 三极管放大时管子内部的工作原理 1、发射区向基区发射电子 电源Ub经过电阻Rb加在发射结上,发射结正偏,发射区的多数载流子(自由电子)不断地越过发射结进入基区,形成发射极电流Ie。同时基区多数载流子也向发射区扩散,但由于多数载流子浓度远低于发射区载流子浓度,可以不考虑这个电流,因此可以认为发射结主要是电子流。 2、基区中电子的扩散与复合 电子进入基区后,先在靠近发射结的附近密集,渐渐形成电子浓度差,在浓度差的作用下,促使电子流在基区中向集电结扩散,被集电结电场拉入集电区形成集电极电流Ic。也有很小一部分电子(因为基区很薄)与基区的空穴复合,扩散的电子流与复合电子流之比例决定了三极管的放大能力。 3、集电区收集电子 由于集电结外加反向电压很大,这个反向电压产生的电场力将阻止集电区电子向基区扩散,同时将扩散到集电结附近的电子拉入集电区从而形成集电极主电流Icn。另外集电区的少数载流子(空穴)也会产生漂移运动,流向基区形成反向饱和电流,用Icbo来表示,其数值很小,但对温度却异常敏感。
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VCC+接蜂鸣器正瑞,蜂鸣器负瑞接三极管集电极,(里面包括了集电极接反向偏值电压)然后基极和射极接正向偏值电压,就可以驱动了,不过你要注意三极的各项极限参数,不然就会烧管子
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一般采用62欧姆动圈喇叭作为蜂鸣器,用双三极管组成无稳态多谐震荡器,其输
出通过一极射极输出器连接到蜂鸣器发声。
一共需要3只三极管,3-6V直流电
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一共需要3只三极管,3-6V直流电
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只要能工作就可以。蜂鸣器需要的电流很小,因此驱动的三极管基极不用很大的电阻。
电阻的大小和三极管及51的驱动能力有关,属于实验性选择。
另外9013是npn型。
电阻的大小和三极管及51的驱动能力有关,属于实验性选择。
另外9013是npn型。
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如果要蜂鸣器响时I/O口输出是高电平,蜂鸣器正极接电源正、负极接三极管集电极、三极管发射极接电源负(地)。
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