igbt是什么?具体解释一下
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IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)
绝缘栅双极型功率管
是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式电力半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小,开关速度快,但导通压降大,载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点,驱动功率小而饱和压降低。
igbt是vmos和bjt组成,vmos是V型场效应管,电压驱动器件,输入阻抗高,但是输入电容大, igbt是voms在前,bjt在后,好处是在高压大电流应用的时候,后级的bjt压降小,导通电阻的,效率高
非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域
IGBT器件将不断开拓新的应用领域,为高效节能、节材,为新能源、工业自动化(高频电焊机, 高频超声波, 逆变器, 斩波器, UPS/EPS, 感应加热)提供了新的商机。
简单点说就是大功率的开关器件
具体可以参考百度百科:http://baike.baidu.com/view/115175.html?wtp=tt
主要作用是:变频器,光伏逆变器,风电变流器等
1,工业方面:电焊机,工业加热,电镀电源等。
2,电器方面:电磁炉,商用电磁炉,变频空调,变频冰箱等。
3,新能源方面:风力发电,电动汽车等。
总之,IGBT已经应用到生活的各个方面了,只要牵扯到电力,与开关的地方就能用到它
主要应用领域:
绝缘栅双极型功率管
是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式电力半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小,开关速度快,但导通压降大,载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点,驱动功率小而饱和压降低。
igbt是vmos和bjt组成,vmos是V型场效应管,电压驱动器件,输入阻抗高,但是输入电容大, igbt是voms在前,bjt在后,好处是在高压大电流应用的时候,后级的bjt压降小,导通电阻的,效率高
非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域
IGBT器件将不断开拓新的应用领域,为高效节能、节材,为新能源、工业自动化(高频电焊机, 高频超声波, 逆变器, 斩波器, UPS/EPS, 感应加热)提供了新的商机。
简单点说就是大功率的开关器件
具体可以参考百度百科:http://baike.baidu.com/view/115175.html?wtp=tt
主要作用是:变频器,光伏逆变器,风电变流器等
1,工业方面:电焊机,工业加热,电镀电源等。
2,电器方面:电磁炉,商用电磁炉,变频空调,变频冰箱等。
3,新能源方面:风力发电,电动汽车等。
总之,IGBT已经应用到生活的各个方面了,只要牵扯到电力,与开关的地方就能用到它
主要应用领域:
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IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),中文称绝缘栅双极型晶体管。它是一种在功率电子领域广泛应用的半导体器件,集合了BJT(双极型结型晶体管)的高电导穿透性和MOSFET(金属氧化物半导体场效应管)的高输入阻抗以及轻触控制的优点。
它的结构大致可以看作是一个P-N-P或者N-P-N的双极型晶体管与一个MOSFET的串联。由于它的栅极是绝缘的,所以称为绝缘栅双极晶体管。IGBT的输出特性与双极晶体管相似,但其输入特性则类似于场效应管,即电流由一个控制电压来控制。
IGBT的工作性能优越,开关速度快,效率高,反馈性能好,制作简单,耗能低,特别是在大电流大电压的控制中有广泛的应用。例如在电动车、电力转换、变频器、风力发电、电磁炉等众多领域都有它的身影。
它的结构大致可以看作是一个P-N-P或者N-P-N的双极型晶体管与一个MOSFET的串联。由于它的栅极是绝缘的,所以称为绝缘栅双极晶体管。IGBT的输出特性与双极晶体管相似,但其输入特性则类似于场效应管,即电流由一个控制电压来控制。
IGBT的工作性能优越,开关速度快,效率高,反馈性能好,制作简单,耗能低,特别是在大电流大电压的控制中有广泛的应用。例如在电动车、电力转换、变频器、风力发电、电磁炉等众多领域都有它的身影。
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