①发射区的电子向基区运动
如图3-3所示。由于发射结外加正向电压，多子的扩散运动增强，所以发射区的多子—自由电子不断越过发射结扩散到基区，形成了发射区电流ien（电流的方向与电子运动方向相反）。同时电源向发射区补充电子，形成电流 ie 。而此时基区的多子—空穴也会向发射区扩散，形成空穴电流 iep 。但由于基区掺杂浓度低，空穴浓度小，iep很小，可忽略不计，故基本上等于发射极电流。
② 发射区注入到基区的电子在基区的扩散与复合
当发射区的电子到达基区后，由于浓度的差异，并且由于基区很薄，电子很快运动到集电结。在扩散过程中有一部分电子与基区的空穴相遇而复合，同时，电源Ubb不断向基区补充空穴，形成基区复合电流ibn。由于基区掺杂浓度低且薄，故复合的电子很少，ibn亦即很小。
③ 集电区收集发射区扩散过来的电子
由于集电结加反向电压，有利于少子的漂移运动，所以基区中扩散到集电结边缘的电子－少子，在电场力作用下，几乎全部漂移过集电结，到达集电区，形成集电极电流icn。同时，集电区少子—空穴和基区本身的少子—电子，也要向对方做漂移运动，形成反向饱和电流 icbo 。icbo的数值很小，一般可忽略。但由于icbo是由少子形成的电流，称为集电结反向饱和电流，方向与 一致，该电流与外加电压关系不大，但受温度影响很大，易使管子工作不稳定，所以在制造管子时应设法减少 。
武义菲亚伏电子有限公司
2023-06-12 广告
三极管饱和时为什么集电极和发射极之间电压很小?
从微观讲解一下~~为什么集电极和发射极被看成短路~~
－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－
放大时：Ic = β * Ib。
当 Ic 随着 Ib 的增加而增加、增加、增加。。。
Uc（集电极电压）就会跟着下降、下降、下降。。。
（为什么会下降？ 你必须能看懂三极管外接的负载电路。）
当 Uc 下降到降无可降的地步，就是三极管饱和了。
此时，Uc，当然就和 Ue 很接近了。
这就是你所说：“集电极和发射极之间电压很小”的原因。
