MOS管与三极管的不同之处？
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MOS管是电压控制器件，输入阻抗很高，几乎不消耗功率；不存在雪崩击穿现象，击穿电压随温度升高有少量升高，但是器件击穿电压无法做的与三极管一样高，一般做到150伏就很了不起了。还有它线性较差，用来做线性放大器比较难。三极管是电流控制器件，可以做到高击穿电压，但是存在雪崩击穿现象，且击穿电压随温度升高而降低。
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MOS管由源极S，栅极G，漏极D组成与三极管都是有放大功能，放大状态工作时，因为MOS管的栅极G与源极S之间没有电流，因此漏极D电流Id是由栅极G与源极S之间电压Ugs决定的，Id=μUgs。
三极管由发射极E，基极B，集电极C组成，放大状态工作时，基极B流到射极E的电流Ib决定集电极C流到射极E的电流Ic，Ic=βIb。
三极管由发射极E，基极B，集电极C组成，放大状态工作时，基极B流到射极E的电流Ib决定集电极C流到射极E的电流Ic，Ic=βIb。
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三极管与场效应管的区别 场效应管是场效应晶体管MOS管是场效应管的主流器件，它的高输入阻抗特性以上是不同点。相同点在于他们的材料都是硅或锗
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