三极管集电极电流究竟是如何产生?

对于NPN型三极管,IC本质上是由发射极扩散到集电极的自由电子的流动产生的。一直以来都认为是自由电子与集电极的空穴复合产生了IC,因为空穴数量有限,所以才会有三极管“饱和... 对于NPN型三极管,IC本质上是由发射极扩散到集电极的自由电子的流动产生的。一直以来都认为是自由电子与集电极的空穴复合产生了IC,因为空穴数量有限,所以才会有三极管“饱和”一说。我有如下几个问题:
1.空穴与自由电子复合之后空穴的数量减少了,并且不可恢复(是不可恢复的吗?),IC若是由此而来为什么能持续不断给出?
2.我们都知道电流时由自由电子的移动而产生的,怎么理解空穴与电子复合产生了电流?
下面两个问题是三极管工作原理的问题:
3.三极管工作在饱和区的条件是发射极正偏,集电极只要有正向电压三极管就能够导通,为什么做开关的时候一定要工作在饱和区?
4.三极管是否能进入饱和区与Ube是不是也有关系?如果Ube很小,刚满足发射结开启电压,发射极发出的电子是不是很少,能不能满足集电极的空穴的最大数目?
以上都对于NPN型三极管说的。最近重看了一遍三极管,突然觉得思路模糊了。电子高手帮帮忙,有加分,谢谢~~~
虚心请教~像1楼这样的答案就不要回答了。我知道我肯定是有些地方没弄清楚,请高手指点下我究竟是哪里弄错了。比如我有这个疑惑,NPN集电极若是什么都不接,此时BE给正向电压,发射结导通,那么集电极会有电流吗?(集电极开路)
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光瑞渊0eb
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2019-08-07 · 说的都是干货,快来关注
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在制造三极管时,有意识地使发射区的多数载流子浓度大于基区的,同时基区做得很薄,而且,要严格控制杂质含量,这样,一旦接通电源后,由于发射结正偏。

发射区的多数载流子(电子)及基区的多数载流子(空穴)很容易地越过发射结互相向对方扩散,但因前者的浓度基大于后者,所以通过发射结的电流基本上是电子流,这股电子流称为发射极电流子。

由于基区很薄,加上集电结的反偏,注入基区的电子大部分越过集电结进入集电区而形成集电极电流Ic,只剩下很少(1-10%)的电子在基区的空穴进行复合,被复合掉的基区空穴由基极电源Eb重新补给,从而形成了基极电流Ibo。

扩展资料:

三极管的工作状态:

1、截止状态

当加在三极管发射结的电压小于PN结的导通电压,基极电流为零,集电极电流和发射极电流都为零,三极管这时失去了电流放大作用,集电极和发射极之间相当于开关的断开状态,我们称三极管处于截止状态。

2、放大状态

当加在三极管发射结的电压大于PN结的导通电压,并处于某一恰当的值时,三极管的发射结正向偏置,集电结反向偏置,这时基极电流对集电极电流起着控制作用,使三极管具有电流放大作用,其电流放大倍数β=ΔIc/ΔIb,这时三极管处放大状态。

3、饱和导通

当加在三极管发射结的电压大于PN结的导通电压,并当基极电流增大到一定程度时,集电极电流不再随着基极电流的增大而增大,而是处于某一定值附近不怎么变化,这时三极管失去电流放大作用,集电极与发射极之间的电压很小,集电极和发射极之间相当于开关的导通状态。

参考资料来源:百度百科—三极管

wykisagod
推荐于2018-03-05 · TA获得超过7536个赞
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1、这么说吧。。你可以理解集电极是一个水管,它排水量是有限的,但是他不能控制其中的流水。流水由开关来控制(偏执电阻Rc)。当水流在量内的时候,管子对水流没有影响,如果水量过大,那么管子就只能排那么多,就饱和了。。。至于IC为什么持续不断,是因为集电极的作用是接收三极管内的由发射机对其射出的电子的。。。有电压的存在,会导致电子受电压控制,从而电子持续不断地从三极管集电极的方向流向电源。。即电流不断的从电源流向集电极。(电压会迫使电子与空穴分离)

2、跳棋玩过么?如果把条珠看做电子,吧洞洞看做空穴,然后摆一排珠子,留出第一个空位。。把第一个珠子放在第一个空位,第一个珠子的位置就空出来了。(空位比珠子多一个)。然后把第二个珠子放在第一个珠子原来的位置……重复知道最后一个完成。。然后你会发下空位从第一个变到最后一个了,就相当于空位从第一个流到了最后一个。。。如果看不明白。找个跳棋自己试试。。。

3、因为只有在饱和的时候,三极管UCE最小,相当于三极管分压最小。。但实际上只要UBE>=0.7V就可以是三极管导通, 但是三极管由于有UCE的存在,会分压,如果看做电阻分压的话,那么如果UBE越大,那么三极管电阻越小。。可以这么理解。。

4、PN结了解么?如果PN结接正向0.7V电压 的时候,二极管会变成一个1K左右的电阻,呈线性。。如果小于0,7V,那么二极管的电阻将无限增大。。一个线性电阻的特点就是,电压与电流是线性增加的。那么如果你的电压越大,那么电流越大的话,那么电子流就越厉害,所以从这点可以分析出,实际上他放出电子的能力随着电压增大而增大。

我没看明白是什么意思,但是你要知道,一般的低频放大,都是共射极或者共集电极的。也就是说,信号都是从基极流入,所以Ub的大小是在变化的。。如果你吧工作点设置在Ib很小的地方,那么当正弦波信号导入的时候,正半轴上的可以正常放大,负半轴则没有了(截止失真)。

看在这么多的份上,加点分呗。。。。
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三一本一D0131
2018-07-09 · TA获得超过1307个赞
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最近也在研究三极管,共同探讨下,有不同意见的欢迎指出。

  1. 你的描述有问题,Ic是由于发射极扩散到基极的电子,通过漂移运动到达C极形成的电流。这个地方之所以能漂移有两个原因,一是集电极的加工,面积很大,方便穿透,二是集电极施加了反向电压。只要发射极有电子到基极,这个电流就能源源不断。Ib才是电子与空穴复合形成的电流。

  2. 如最佳答案的第二条。

  3. 用作开关的时候,需要压降越小越好(具体原因可以参考MOS管做开关时的Rds选择),三极管越是深度饱和,其压降越小。(最小能达到0.2~0.3V)

  4. 有很大关系,所谓发射极正偏集电极也正偏是结果,让三极管进入饱和的方式就是提高Ib,使得Ic无法以固定的放大倍数跟随变化。

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jiefly1981
2011-08-18 · TA获得超过1103个赞
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如果你这样说,那就帮不了你了。
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aq莲
2011-08-17 · TA获得超过319个赞
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抱歉,帮不了你
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