可控硅是控制电流还是电压
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可控硅、GTO是电流触发,其中可控硅触发导通后要等到电流过0时才关断;GTO称之为可关断可控硅,可以在有电流时关断。
MOSFET和IGBT是电压控制器件,类似于场效应管,可通过栅极电压控制其导通和关断,开关速度高于GTO,由于MOSFET的耐压水平不能再继续提高,后推出场效应管与双极型管结合的器件IGBT。
它们共同的作用就是可以用较小的电流(或电压)去控制较大的电流,同时都具有单向导电性,均可作为整流和逆变元件使用,
但相比之下,可控硅的应用范围相对狭窄,但因为这些器件中,可控硅是最廉价的,工艺成熟,可做成高压、大电流,所以在整流、大功率的同步逆变、调功等装置中还是有较大优势。IGBT与GTO、MOSFET器件相比在开关速度、耐压、驱动功率上有更优异的特性,所以被广泛应用在变频器、有源滤波和补偿、逆变等领域。
MOSFET和IGBT是电压控制器件,类似于场效应管,可通过栅极电压控制其导通和关断,开关速度高于GTO,由于MOSFET的耐压水平不能再继续提高,后推出场效应管与双极型管结合的器件IGBT。
它们共同的作用就是可以用较小的电流(或电压)去控制较大的电流,同时都具有单向导电性,均可作为整流和逆变元件使用,
但相比之下,可控硅的应用范围相对狭窄,但因为这些器件中,可控硅是最廉价的,工艺成熟,可做成高压、大电流,所以在整流、大功率的同步逆变、调功等装置中还是有较大优势。IGBT与GTO、MOSFET器件相比在开关速度、耐压、驱动功率上有更优异的特性,所以被广泛应用在变频器、有源滤波和补偿、逆变等领域。
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