Question

介质损耗因数?

Answer 1

问题一：介质损耗因数的介绍 介质损耗（dielectric loss ）指的是绝缘材料在电场作用下，由于介质电导和介质极化的滞后效应，在其内部引起的能量损耗。也叫介质损失，简称介损。介质损耗因数（dielectric loss factor）指的是衡量介质损耗程度的参数。

问题二：介质损耗因数的介质损耗角δ 在交变电场作用下，电介质内流过的电流相量和电压相量之间的夹角(功率因数角Φ的余角δ)。 简称介损角。

问题三：介质损耗因数的介质损耗正切值tgδ 又称介质损耗因数，是指介质损耗角正切值，简称介损角正切。介质损耗因数的定义如下:如果取得试品的电流相量和电压相量，则可以得到如下相量图：总电流可以分解为电容电流Ic和电阻电流IR合成，因此：这正是损失角δ=(90°-Φ)的正切值。现在的数字化仪器从本质上讲，是通过测量δ或者Φ得到介损因数。 测量介损对判断电气设备的绝缘状况是一种传统的、十分有效的方法。绝缘能力的下降直接反映为介损增大。进一步就可以分析绝缘下降的原因，如：绝缘受潮、绝缘油受污染、老化变质等等。测量介损的同时，也能得到试品的电容量。如果多个电容屏中的一个或几个发生短路、断路，电容量就有明显的变化，因此电容量也是一个重要参数。 4、功率因数cosΦ功率因数是功率因数角Φ的余弦值，意义为被测试品的总视在功率S中有功功率P所占的比重。功率因数的定义如下:有的介损测试仪习惯显示功率因数(PF:cosΦ)，而不是介质损耗因数(DF:tgδ)。一般cosΦ 问题四：介质损耗因数的介质损耗正切值tgδ 节电损耗正切角的值，主要反应绝缘介质的高频特性，越小越好！

问题五：什么是变压器油的介质损耗因数 1、变压器的介质损耗一般是指磁介质损耗。主要包括两部分：一部分是磁滞损耗，另一部分是涡流损耗。
磁滞损耗是因为铁芯存在“磁滞回线”，以至于感生电动势和磁化电流之间的相位差不等于90度了。我们知道，如果是90度，这个电流就是“无功”的了，现在不等于90度，相当于并联上了一个有功的电流成分。
涡流损耗同样也等效于并连上了一个有功的电流成分。
2、具体解释：
变压器正常工作时，二次侧电流和一次测电流的主要部分所产生的磁场是抵消的。抵消后剩下的磁场大致应该等于空载时（二次电流为零时）的磁场（假设忽略电阻和漏磁）。所以，我上面所说的“磁化电流”也就应该是等于变压器的空载电流了。
理想的情况，空载电流应该是比电压滞后90度，是“无功”的。但是有了上述损耗，这个滞后就不够90度了。这个滞后角的余角δ同样可以代表损耗的大小。其数学关系与草头蒜兄所说的电介质损耗非常相似。
变压器空载时，如果没有损耗，一次侧的输入特性应该相当于一个纯电感，有了损耗，输入电流就等效于在电感上又并联了一个电阻。tanδ应该等于这个等效电阻上的电流与电感上的电流之比。

问题六：电缆试验的介质损耗因数tgδ 试验 介质损耗角正切试验是检测绝缘缺陷的有效方法。在试验时，通过在绝缘上施加交流电压可以检测绝缘的损耗大小，如果电缆的绝缘出现老化变质或受潮等现象时，通过检测电缆电流有功分量变大的现象可以判断绝缘损耗的增大。同时，因为损耗和有功电流以及电缆绝缘的体积均有直接关系，因此不同大小的绝缘其损耗也不同，为了排除该因素的影响，在实际中一般采用另一个指标tgδ 来衡量。tgδ 的大小可以用很多种方法来进行测量，其中传统上一般采用西林电桥法即平衡测量法来检测介质损耗角正切的大小。由于技术不断发展，出现了更为方便的测量方法，例如角差法就是其中的一种，它用直接测量的方式判断电压电流之间的夹角，从而方便的得到介质损耗角正切的大小，正因为如此，角差法在当前的介质损耗角正切的试验中得到了越来越广泛的应用。

问题七：电容的损耗因数 图1中，电容的泄露电阻Rp、有效串联电阻Rs和有效串联电感L式寄生元件，可能会降低外部电路的性能。一般将这些元件的效应合并考虑，定义为损耗因数或DF。
电容的泄漏是指施加电压时流过电介质的微小电流。虽然模型中表现为与电容并联的简单绝缘电阻Rp，但实际上泄露与电压并非线性关系。制造商常常将将泄漏规定为 MΩ-μF 积，用来描述电介质的自放电时间常数，单位为秒。其范围介于 1 秒或更短与数百秒之间，前者如铝和钽电容，后者如陶瓷电容。玻璃电容的自放电时间常数为 1,000 或更大；特氟龙和薄膜电容（聚苯乙烯、聚丙烯）的泄漏性能最佳，时间常数超过 1,000,000 MΩ-μF。对于这种器件，器件外壳的表面污染或相关配线、物理装配会产生泄漏路径，其影响远远超过电介质泄漏。
有效串联电感 ESL（图 1）产生自电容引脚和电容板的电感，它能将一般的容抗变成感抗，尤其是在较高频率时；其幅值取决于电容内部的具体构造。管式箔卷电容的引脚电感显著大于模制辐射式引脚配置的引脚电感。多层陶瓷和薄膜电容的串联阻抗通常最低，而铝电解电容的串联阻抗通常最高。因此，电解电容一般不适合高频旁路应用。
电容制造商常常通过阻抗与频率的关系图来说明有效串联电感。不出意料的话，这些图会显示：在低频时，器件主要表现出容性电抗；频率较高时，由于串联电感的存在，阻抗会升高。
有效串联电阻 ESR（图 1 的电阻 Rs）由引脚和电容板的电阻组成。如上文所述，许多制造商将 ESR、ESL 和泄漏的影响合并为一个参数，称为“损耗因数”或 DF。损耗因数衡量电容的基本无效性。制造商将它定义为每个周期电容所损失的能量与所存储的能量之比。特定频率的等效串联电阻与总容性电抗之比近似于损耗因数，而前者等于品质因数 Q 的倒数。
损耗因数常常随着温度和频率而改变。采用云母和玻璃电介质的电容，其 DF 值一般在 0.03% 至 1.0% 之间。室温时，陶瓷电容的 DF 范围是 0.1% 至 2.5%。电解电容的 DF 值通常会超出上述范围。薄膜电容通常是最佳的，其 DF 值小于 0.1%。

问题八：介质损耗是测什么的 介质损耗角是在交变电场下，电介质内流过的电流向量和电压向量之间的夹角（即功率向量角ф）的余角δ，简称介损角。

问题九：介质损耗的介绍 介质损耗：绝缘材料在电场作用下，由于介质电导和介质极化的滞后效应，在其内部引起的能量损耗。也叫介质损失，简称介损。在交变电场作用下，电介质内流过的电流相量和电压相量之间的夹角(功率因数角Φ)的余角δ称为介质损耗角。

问题十：20度的介质损耗因数是计算出来的吗? 是