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将P型半导体与N型半导体制作在同一块半导体(通常是硅或锗)基片上,在它们的交界面就形成空间电荷区称PN结。一块单晶半导体中 ,一部分掺有受主杂质是P型半导体,另一部分掺有施主杂质是N型半导体时 ,P 型半导体和N型半导体的交界面附近的过渡区就是PN结。
PN结加正向电压时,外加的正向电压有一部分降落在PN结区,方向与PN结内电场方向相反,削弱了内电场。于是,内电场对电子扩散运动的阻碍减弱,扩散电流加大。PN结呈现低阻性。 PN结加反向电压时,外加的反向电压有一部分降落在PN结区,方向与PN结内电场方向相同,加强了内电场。内电场对电子扩散运动的阻碍增强,扩散电流大大减小,PN结呈现高阻性。 PN结加正向电压时,呈现低电阻,具有较大的正向扩散电流;PN结加反向电压时,呈现高电阻,具有很小的反向漂移电流。所以PN结具有单向导电性。
PN结加正向电压时,外加的正向电压有一部分降落在PN结区,方向与PN结内电场方向相反,削弱了内电场。于是,内电场对电子扩散运动的阻碍减弱,扩散电流加大。PN结呈现低阻性。 PN结加反向电压时,外加的反向电压有一部分降落在PN结区,方向与PN结内电场方向相同,加强了内电场。内电场对电子扩散运动的阻碍增强,扩散电流大大减小,PN结呈现高阻性。 PN结加正向电压时,呈现低电阻,具有较大的正向扩散电流;PN结加反向电压时,呈现高电阻,具有很小的反向漂移电流。所以PN结具有单向导电性。
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