Question

试分析IGBT和电力MOSFET在内部结构和开关特性上的相似与不同之处

Answer 1

G B T比 电 力M O S F E T在 背 面 多 一 个P型 层 ，I G B T开 关 速 度 小 ，开 关 损 耗 少 具 有 耐 脉 冲 电流 冲 击 的 能 力。通 态 压 降 较 低 ，输 入 阻 抗 高 ，为 电 压 驱 动 ，驱 动 功 率 小 。 开 关 速 度 低 于 电 力M O S F E T。 电 力M O S F E T开 关 速 度 快 ，输 入 阻 抗 高 ，热 稳 定 性 好 。 所 需 驱 动 功 率 小 且 驱 动 电路 简 单  工 作 频 率 高 ， 不 存 在 二 次 击 穿 问 题 。I G B T 驱 动 电 路 的 特 点 是 : 驱 动 电 路 具 有 较 小 的 输 出 电 阻，  Ⅰ G B T 是 电 压 驱 动型 器 件 ， I G B T 的 驱 动 多 采 用 专 用 的 混 合 集 成 驱 动 器 。 电 力 M O S F E T 驱 动 电 路 的特 点 ： 要 求 驱 动 电 路 具 有 较 小 的 输 入 电 阻 ，驱 动 功 率 小 且 电 路 简单。

Answer 2

答：内部结构相似之处：
IGBT
内部结构包含了
MOSFET
内部结构。

内部结
构不同之处：
IGBT
内部结构有注入
P
区
, MOSFET
内部结构则无注入
P
区。

开关特性的相似之处：
IGBT
开关大部分时间由
MOSFET
运行
,
特性相似。
开关
特性的不同之处：
IGBT
的注入
P
区有电导调制效应
,
有少子储存现象
,
开关慢

Answer 3

知道了也告诉我一声

Answer 4

我也想知道答案。。敢情你也是学电气的吧

Answer 5

晕