Question

在电路设计中，如何选择去耦电容，旁路电容？

Answer 1

在使用去耦旁路电容时，需要考虑以下几点：

　　· 使电容的引线最短，线路电感最小。

　　· 选择适合的额定电压和介电常数的电容。

　　· 如果边沿速率的畸变容许3倍于C的大小，应使用大一级的电容标称值。

　　· 电容安装好后，必须检查是否工作正常。

　　· 太大的电容会导致信号的过大畸变。

去耦电容在集成电路电源和地之间的有两个作用：一方面是本集成电路的蓄能电容，另一方面旁路掉该器件的高频噪声。数字电路中典型的去耦电容值是0.1μF。这个电容的分布电感的典型值是5nH。0.1μF的去耦电容有5nH的分布电感，它的并行共振频率大约在7MHz左右，计算方法为ω=根号下(1/LC) 也就是说，对于10MHz以下的噪声有较好的去耦效果，对40MHz以上的噪声几乎不起作用。1μF、10μF的电容，并行共振频率在20MHz以上，去除高频噪声的效果要好一些。每10片左右集成电路要加一片充放电电容，或1个蓄能电容，可选10μF左右。最好不用电解电容，电解电容是两层薄膜卷起来的，这种卷起来的结构在高频时表现为电感。要使用钽电容或聚碳酸酯电容。去耦电容的选用并不严格，可按C=1/F，即10MHz取0.1μF，100MHz取0.01μF。