发光二极管
在百度百科“发光二极管”里关于二极管发光的原理说到“”当给发光二极管加上正向电压后,从P区注入到N区的空穴和由N区注入到P区的电子,在PN结附近数微米内分别与N区的电子和...
在百度百科“发光二极管”里关于二极管发光的原理说到“”当给发光二极管加上正向电压后,从P区注入到N区的空穴和由N区注入到P区的电子,在PN结附近数微米内分别与N区的电子和P区的空穴复合,产生自发辐射的荧光。”但同时又说到“注入的少数载流子与多数载流子复合时会把多余的能量以光的形式释放出来,从而把电能直接转换为光能。”而P区的少子是电子不是空穴,N区的少子是空穴不是电子,那么上面两句话是不是矛盾了,那句话是错的?正确的解释又是什么?
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没有错。没有矛盾啊!
第一句话说:从P区注入到N区的空穴和由N区注入到P区的电子,在PN结附近数微米内分别与N区的电子和P区的空穴复合,产生自发辐射的荧光。
意思就是:
1、从P区注入到N区的空穴,在PN结附近数微米内,与N区的电子复合,产生自发辐射的荧光。
2、由N区注入到P区的电子,在PN结附近数微米内,与P区的空穴复合,产生自发辐射的荧光。
你说的没错,P区的多子是空穴,少子是电子。所以
1、从P区注入到N区的空穴,在P区是多子,但它注入到N区后,在P区成了少子,和N区的多子即电子产生复合,同时发光。
2、(和 1同样的道理)
所以“注入的少数载流子与多数载流子复合” 的说法是正确的啊!
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第一句话说:从P区注入到N区的空穴和由N区注入到P区的电子,在PN结附近数微米内分别与N区的电子和P区的空穴复合,产生自发辐射的荧光。
意思就是:
1、从P区注入到N区的空穴,在PN结附近数微米内,与N区的电子复合,产生自发辐射的荧光。
2、由N区注入到P区的电子,在PN结附近数微米内,与P区的空穴复合,产生自发辐射的荧光。
你说的没错,P区的多子是空穴,少子是电子。所以
1、从P区注入到N区的空穴,在P区是多子,但它注入到N区后,在P区成了少子,和N区的多子即电子产生复合,同时发光。
2、(和 1同样的道理)
所以“注入的少数载流子与多数载流子复合” 的说法是正确的啊!
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