英特尔前瞻：英特尔加入GPU之战，三大芯片股谁能更胜一筹？
英特尔在高端技术上的策略错误，意外让后起之秀台积电坐上主导全球芯片制造的龙头宝座，这种因为巨人对手的错误而得利，甚至攀上全球颠峰的案例算少见。不过，从2019年起英特尔“硬起来”了，不但“孵化”4年的10nm技术量产，披露一连串最新封装技术，对上台积电的SoIC技术，两大巨头的“真3D”封装正式过招，究竟鹿死谁手，仍有一番较量。台积电有两大竞争对手，一是过去一直仰望的英特尔，二是过往处于平行线的三星，但这几年却积极从“存储赛道”转到“逻辑赛道”，导致彼猜桥此频频过招。
即使是英特尔在高端工艺技术上屡次失误，台积电仍是十分尊液兆漏敬英特尔，认为其技术研发底气强大，台积电创办人张忠谋更表示“永远不要小看英特尔”。对于三星，张忠谋曾表示佩服其为完成目标而展现的凝聚力，但因近年来两家公司在高端工艺竞争上常常擦枪走火，彼此时常“斜睨”对方。
英特尔绝地大反攻台积电与三星频频较量，且屡次胜出的关键，除了在高端工艺技术上不手软地砸钱，保持巨大的研发能量外，在10年前就看到要延续摩尔定律的寿命，唯有解开后端“封装”技术的瓶颈，因此部署重兵在封装领闹烂域。英特尔虽然在10 nm工艺技术上延迟4年，导致全球芯片制造的龙头宝座拱手让给台积电，但从2019年开始，英特尔展开绝地大反攻。
英特尔日前更在旧金山登场的SEMICON West中，强调能同时提供2D和3D封装技术，分享3项重大封装的全新技术架构：第一是Co-EMIB技术：英特尔先前已经有嵌入式多芯片互连桥接EMIB（Embedded Multi-die Interconnect Bridge），这是一款2D的封装技术，在之前的“架构日”（Architecture Day）也宣布3D封装技术Foveros的诞生。
这次英特尔进一步提出Co-EMIB技术，基于2D封装技术EMIB和3D封装技术Foveros，利用高密度的互连技术，实现高带宽、低功耗，并实现有竞争力的I/O密度，全新的Co-EMIB技术可连结更高的计算性能，能够让两个或多个Foveros元件互连，基本达到单晶片性能。第二是英特尔的互连技术ODI（Omni-Directional Interconnect），提供封装中小芯片之间，无论是芯片或模块之间的水平通信或是垂直通信，互联通信都有更多灵活性。
ODI封装技术利用大的垂直通孔直接从封装基板向顶部裸片供电，比传统的硅通孔大得多且电阻更低，可提供更稳定的电力传输，同时通过堆叠实现更高带宽和更低时延。再者，利用这种方法可以减少基底芯片中所需的硅通孔数量，可减少面积且缩小裸芯片的尺寸。
