Question

igbt是什么

Answer 1

IGBT是Insulated Gate Bipolar Transistor（绝缘栅双极型晶体管）的缩写，IGBT是由MOSFET和双极型晶体管复合而成的一种器件，其输入极为MOSFET，输出极为PNP晶体管，它融和了这两种器件的优点，既具有MOSFET器件驱动功率小和开关速度快的优点，又具有双极型器件饱和压降低而容量大的优点，其频率特性介于MOSFET与功率晶体管之间，可正常工作于几十kHz频率范围内，在现代电力电子技术中得到了越来越广泛的应用，在较高频率的大、中功率应用中占据了主导地位。
IGBT（绝缘栅双极晶体管）模块的参数： 集电极、发射极间电压（符号：VCES）：栅极、发射极间短路时的集电极，发射极间的最大电压。
　　IGBT（绝缘栅双极晶体管）模块的参数： 栅极发极间电压（符号：VGES ）：集电极、发射极间短路时的栅极，发射极间最大电压。
　　IGBT（绝缘栅双极晶体管）模块的参数： 集电极电流（符号：IC ）：集电极所允许的最大直流电流。
　　IGBT（绝缘栅双极晶体管）模块的参数： 耗散功率（符号：PC）：单个IGBT所允许的最大耗散功率。
　　IGBT（绝缘栅双极晶体管）模块的参数： 结温（符号：Tj）：元件连续工作时芯片温厦。
　　IGBT（绝缘栅双极晶体管）模块的参数： 关断电流（符号：ICES ）：栅极、发射极间短路，在集电极、发射极间加上指定的电压时的集电极电流。
　　IGBT（绝缘栅双极晶体管）模块的参数： 漏电流（符号：IGES ）：集电极、发射极间短路，在栅极、集电极间加上指定的电压时的栅极漏电流。
　　IGBT（绝缘栅双极晶体管）模块的参数： 饱和压降（符号：V CE（sat） ）：在指定的集电极电流和栅极电压的情况下，集电极、发射极间的电压。
　　IGBT（绝缘栅双极晶体管）模块的参数： 输入电容（符号：Clss ）：集电极、发射极间处于交流短路状态，在栅极、发射极间及集电极、发射极间加上指定电压时，栅极、发射极间的电容。

Answer 2

IGBT，全称Insulated Gate Bipolar Transistor，中文名称为绝缘栅双极晶体管，是一种重要的功率半导体器件。IGBT结合了双极晶体管（BJT）和场效应晶体管（FET）的特性，允许它在高电压和高电流环境下进行电流控制。它的特点包括：
1. 高电压和高电流应用：IGBT在高电压和高电流应用中表现出色，适用于电能控制、逆变器、电机驱动、电力放大器等领域。
2. 电流控制：IGBT能够控制电流流动，类似于双极晶体管，但又具有场效应晶体管的高速开关特性。
3. 高效能：IGBT在电力电子应用中非常高效，可以用于变频器、电源逆变器等系统，有效地控制电能的流动和转换。
4. 绝缘栅：IGBT具有栅极与主电流通道之间的绝缘，这允许电压施加在栅极上以控制电流。
IGBT广泛应用于各种领域，包括电力传输、电机驱动、再生能源系统（如太阳能逆变器和风力逆变器）、工业设备等。它在高电压高电流环境中的优越性能使其成为电能控制和转换的关键组成部分。

Answer 3

绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET（功率型MOS管）的高输入阻抗和GTR(大功率三极管)的低导通压降两方面的优点。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。

Answer 4

逆变器