Question

半导体PN结 问题

首先问题是 P型半导体 的空穴移动应该是相邻硅元素的共价键上的电子 移到三价元素的空穴上 从而在原来的共价键上形成新的空穴 这样的不断填补就构成了空穴的移动

问题1 这种相邻共价键依次填补空穴的原因是什么 也就是电子空穴的动力是什么 是否需要热激发 这和N型半导体中 自由电子没受到共价键的束缚 所以很容易热激发而成为自由电子 P型半导体空穴的填补与此有什么不同？

问题2 书上说到的PN结 的交界面 N型中电子向P型中扩散 所谓扩散是因为浓度不同 但是P型中多子为空穴 实际就是自由电子没有N型的多 所以实际上是否只有N型电子向P型转移 而P型只能接受N型的电子 随即空穴被完全复合，电子也消失了？

如果是这种情况 是否从N型到P型填补空穴的电子都是被激发的自由电子 它们到P型中只是和空穴复合 复合后空穴是消失的 随即就是空穴和电子的数量同时减少 而不存在本征半导体的在共价键中价电子（这个电子还处在共价键中未被激发） 替补（这种情况下空穴的数量没有减少只是移动）已被激发了的自由电子留下的空位？

请懂的的人解答 我没学过能带理论 请用尽量好懂的语言回答

Answer 1

问题一：动力室外加电场，这冒失与热激发无关吧。不管是N还是P能到导电的原因都是有电场。
问题二：这是一个动态平衡的关系，当有扩散的时候由于内建电场的关系，使载流子恢复到以前，所以宏观不是个稳态。
问题三：如果是这种情况 是否从N型到P型填补空穴的电子都是被激发的自由电子 它们到P型中只是和空穴复合 复合后空穴是消失的 随即就是空穴和电子的数量同时减少这个理解是不正确的正如我问题而所说的一样

Answer 2

半导体物理与器件这本书上有详细的解答，而且不难，是国外的翻译本，蓝色

Answer 3

看看半导体物理学刘恩科的那本，有详细解释，我们学得就是那本