
绝缘栅型场效应管好坏及极性
一、绝缘栅型场效应管(或IGBT)好坏的简易判别方法
3、判断极性
将万用表拨在R×1KΩ挡,用万用表测量时,将黑表笔固定接在某一电极上,另一表笔红表笔分别接其它
两只管脚,若阻值均为无穷大,
对调用红表笔固定接在这一电极(原黑表笔接的那只管脚)上,另一表笔
(黑表笔)分别接其它两只管脚,若阻值均为无穷大,则固定不动的那只表笔接的那只管脚为栅极。
其余两
极再用万用表测量,若测得阻值为无穷大,调换表笔后测量阻值较小。在测量阻值较小的一次中,则判断红
表笔接的为漏极(D);黑表笔接的为源极(S)。
4、判断好坏
将万用表拨在R×10KΩ挡,用黑表笔接IGBT 的漏极(D),红表笔接IGBT 的源极(S),此时万用表的指针
指在无穷处。用手指同时触及一下栅极(G)和漏极(D),这时IGBT 被触发导通,万用表的指针摆向阻值
较小的方向,并能站住指示在某一位置。然后再用手指同时触及一下源极(S)和栅极(G),这时IGBT 被阻
断,万用表的指针回到无穷处。此时即可判断IGBT 是好的。
注意:若进第二次测量时,应短接一下源极(S)和栅极(G)。
任何指针式万用表皆可用于检测IGBT。注意判断IGBT 好坏时,一定要将万用表拨在R×10KΩ挡,因R×1K
Ω挡以下各档万用表内部电池电压太低,检测好坏时不能使IGBT 导通,而无法判断IGBT 的好坏。此方法同
样也可以用于检测功率场效应晶体管(P-MOSFET)的好坏。
附图
IGBT 绝缘栅双极晶体管(Iusulated Gate Bipolar Transistor)简称IGBT,是一种集BJT的大电流密度和MOSFET
等电压激励场控型器件优点于一体的高压、高速大功率器件。
目前有用不同材料及工艺制作的IGBT, 但它们均可被看作是一个MOSFET输入跟随一个双极型晶体管放
大的复合结构。
IGBT有三个电极(见上图), 分别称为栅极G(也叫控制极或门极) 、集电极C(亦称漏极) 及发射极E(也称源
极) 。
从IGBT的下述特点中可看出, 它克服了功率MOSFET的一个致命缺陷, 就是于高压大电流工作时, 导通电阻
大, 器件发热严重, 输出效率下降。
IGBT的特点:
1.电流密度大.
2.输入阻抗高, 栅驱动功率极小, 驱动电路简单。
3.低导通电阻。.
4.击穿电压高, 安全工作区大, 在瞬态功率较高时不会受损坏。
5.开关速度快, 关断时间短,耐压1kV~1.8kV的约1.2us、600V级的约0.2us, 约为GTR的10%.
代换ICBT时应注意的几个问题:
由于IGBT管工作在高电压、大电流状态,工作温度高,易损坏,据不完全统计,在电磁炉故障维修中,IGBT管损坏占80%以上,而各厂家采用的IGBT管型号繁杂,有的厂家还把IGBT管型号标注打磨掉,因此,维修中不得不考虑IGBT的代换。代换时应注意以下二点:
1、IGBT管的主要参数宜大不宜小,2000W以下的电磁炉可选用最大电流为20A—25A的IGBT管,2000W或2000W以上的电磁炉可选用最大电流为40A的IGBT管。
2、应区分IGBT管内是否含有阻尼二极管,内含有阻尼二极管的IGBT管可代换不含阻尼二极管的IGBT管,若用不含阻尼二极管的IGBT管代换内含有阻尼二极管的IGBT管时,应在新更换的IGBT管的漏极和源极之间并接一只快速恢复二极管,如图所示。部分快速恢复二极管的型号及主要参数如表所示。
电磁炉常用IGBT管型号和主要参数
管子型号 最高耐压(V) 最大电流(A) 管内是否含有二极管
20N 120CND 1200 20 有
K25T120 1200 25 有
G40N150D 1500 40 有
5GL40N150D 1500 40 有
G4PH50UD 1500 40 有
GT40Q321 1300 40 有
GT40T101 1000 40 无
G40T101 1000 40 无
GT40T301 1300 40 无
ZQB35JA 1500 35 有
G30P120N 1200 30 无
GPQ25101 1000 25 有
GT15J101 1000 15 无
GT8Q191 1900 8 有
GT50J101 1000 50 无
GT50J102 1000 50 无
GT50J301 1300 50 无
GT60M104 1000 60 无
GT60M301 1300 60 无
GT75AN—12 1200 75 无
15Q101 1000 15 有
25Q101 1000 25 有
80J101 1000 80 无
JHT20T120 1200 20 有
SKW25N120 1200 25 有

2023-06-12 广告
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