为什么P型半导体空穴浓度远大于自由电子浓度?不是掺入少量的杂质吗？怎么就会远大于？求真相！！！
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因为不掺杂的半导体一般只有很少的本征载流子（电子和空穴的浓度相等），掺入少量受主杂质之后，就可以提供一定数量的空穴，而这些空穴往往要比原来的本征载流子浓度大得多，所以说“远大于...”
参见“http://blog.163.com/xmx028@126/”中的有关说明。
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创远信科
2024-07-24 广告
介电常数，简称ε，是衡量材料在电场中电介质性能的重要物理量。它描述了材料对电场的响应能力，定义为电位移D与电场强度E之比，即ε=D/E。介电常数越大，材料在电场中的极化程度越高，存储电荷能力越强。在电子和电气工程领域，介电常数对于理解和设计...
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本征半导体中的自由电子空穴对是相等的，数量本身就很少，加入受主杂质形成P型半导体相当于给本征半导体中加入空穴，这些空穴中的一部分跟本征半导体中的自由电子复合，自由电子就减少
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杂质是缺电子的，所以空穴一定多于自由电子
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把我的模电书借给你就行了，我头疼的模电
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