IGBT是什么
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答:IGBT中文名称为绝缘栅双极型晶体管,IGBT是由MOSFET和双极型晶体管复合而成的一种器件,其输入极为MOSFET,输出极为晶体管,它融和了这两种器件的优点,既具有MOSFET器件驱动功率小和开关速度快的优点,又具有双极型器件饱和压降低而容量大的优点,其频率特性介于MOSFET与功率晶体管之间,可正常工作于几十kHz频率范围内,在现代电力电子技术中得到了越来越广泛的应用,在较高频率的大、中功率应用中占据了主导地位。它的主要参数是:最大电流(ICM)、最高反压(Vces)。
IGBT是电压触发型器件,工作原理是:在栅极“G”上加上一个高于射极“E”的电压,那么集电极“C”和射极“E”之间变成低阻导通状态。如果栅极“G”的电压小于或等于射极“E”的电压,那么集电极“C”和射极“E”之间呈现高阻截止状态。
IGBT的作用:通过对IGBT的开通和关断的控制,可以轻松的实现逆变过程和变频控制。其主要应用于逆变焊机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。
IGBT是电压触发型器件,工作原理是:在栅极“G”上加上一个高于射极“E”的电压,那么集电极“C”和射极“E”之间变成低阻导通状态。如果栅极“G”的电压小于或等于射极“E”的电压,那么集电极“C”和射极“E”之间呈现高阻截止状态。
IGBT的作用:通过对IGBT的开通和关断的控制,可以轻松的实现逆变过程和变频控制。其主要应用于逆变焊机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。
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深圳众达安科技有限公司,TEL:0755-27858661 IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小,开关速度快,但导通压降大,载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点,驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。
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