怎样解决多个场效应管并联引起的干扰???
本人现在制作了个1000W的高频逆变器。采用推挽式。用多只IRF3205并联使用。现在发现散热温度过高的故障,用示波器测栅极有杂波干扰!现在此请求各位高手前辈指正一二...
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武义菲亚伏电子有限公司
2023-06-12 广告
2023-06-12 广告
根据绝缘子的数量和类型,可以大致判断电压等级。具体而言,可以从以下几个方面入手:1. 绝缘子的长度或数量:不同电压等级的绝缘子,其长度或数量也不同。例如,0.4千伏采用的悬式绝缘子为1片,10千伏为2片,35千伏为3~4片,110千伏为7片...
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示波器的探头是什么的,这些可能不是杂波的问题,而是示波器接入收到了开关信号的影响。我觉得是MOSFET导通电阻是不是大了。
追问
不会的!我单独测了SG3525驱动板送来的波形很理想的。标准矩形波。
但是变压器接通后栅极的杂波很严重了
追答
那我也没有办法了
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1、发射模块如果两个串联使用, 有一个晶体管是振荡发射,另一个是调幅调制,也就是数字调制。所以一个发热,一个正常。
2、场效应晶体管(Field Effect Transistor缩写(FET))简称场效应管。
主要有两种类(junction FET—JFET)和金属 - 氧化物半导体场效应管(metal-oxide semiconductor FET,简称MOS-FET)。
由多数载流子参与导电,也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高(107~1015Ω)、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点,现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。
2、场效应晶体管(Field Effect Transistor缩写(FET))简称场效应管。
主要有两种类(junction FET—JFET)和金属 - 氧化物半导体场效应管(metal-oxide semiconductor FET,简称MOS-FET)。
由多数载流子参与导电,也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高(107~1015Ω)、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点,现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。
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