Question

关于高斯定理，下列说法正确的是

Answer 1

我认为选C。
高斯定理的微分表述为D的散度等于该闭合高斯面所包围的自由电荷q。
A错，高斯定理只是对于对称分布的场来说比较易于求解而已。
B错，高斯面上的场强是由高斯面内外的电荷共同产生的，而这些场强合成的结果相当于高斯面所包围的自由电荷本身产生的，也就是说这个散度源是面内的自由电荷。
C对。
D错，高斯面外的电荷有无并不影响高斯定理求场强。