Question

二极管的型号

Answer 1

二极管普遍存在于电子设备产品中。根据半导体材料，二极管可分为锗二极管和硅二极管。按管芯结构可分为点接触二极管、面接触二极管和面接触二极管。按用途可分为TVS瞬态抑制二极管、ESD二极管、稳压二极管、整流二极管、肖特基二极管、快恢复二极管、超快恢复二极管等。瞬态电压抑制器瞬态抑制二极管1)SOD-123封装:SMF3.3A-SMF35A，TPSMF13A-TPSMF58A，smf4l5.0a-smf4l85a；2)SMA/DO-214AC封装:SMAJ5.0A(CA)-SMAJ440A(CA)、P4SMA6.8A(CA)-P4SMA600A(CA)、TPSMAJ10A(CA)-TPSMAJ85A(CA)、SMA6J5.0A-SMA6J58A(CA)3)DO-41封装:p4ke6.8a(CA)-p4ke600a(CA)；4)DO-15封装:SA5.0A(CA)-SA190A(CA)，p6ke6.8a(CA)-p6ke600a(CA)；5)SMB/DO-214AA封装:SMBJ5.0A(CA)-SMBJ440A(CA)、P6SMB6.8A(CA)-P6SMB600A(CA)、tpmbj11a(CA)-tpmbj170a(CA)、SMB10J5.0A(CA6)DO-201封装:1.5ke6.8a(CA)-1.5ke600a(CA)；7)SMC/DO-214AB封装:1.5SMC6.8A(CA)-1.5SMC600A(CA)、SMCJ5.0A(CA)-SMCJ440A(CA)、TPSMCJ10A(CA)-TPSMCJ78A(CA)、SMDJ5.0a(CA)-TPSmdj43a(CA)、5.0SMDJ11A(CA)-5.0SMDJ440A(CA)、TP5.0smdj10a(CA)-TP5.0smdj58a(CA)；8)DO-218AB封装:SM5S10A-SM5S43A，SM6S10A-SM6S43A，SM8S10A(CA)-SM8S48A(CA)，sm8t16a(CA)-sm843a(CA)；9)R-6/P600封装:3KP5.0A(CA)-3KP440A(CA)，5KP5.0A(CA)-5KP440A(CA)，LDP10A(CA)-LDP60A(CA)，15kP17A(CA)-15kP280a10)NA包:k1076-KD076；；ESD二极管ESD二极管静电防护专用器件ESD二极管，不同厂家供应的ESD保护管型号名称不同，但封装形式是统一的。ESD二极管常用的封装形式有SOT-23、SOT-23-6L、SOD-323、SOD-323F、SOD-523、SOD-723、SOD-923、SOT-143、SOT-353、SOT-363和SOT-523。DFN-6L，DFN-16L，DFN-18L，DFN-3L，DFN0603-2L，DFN0603-D，DFN1006-2L，DFN1610-2L，DFN1610-6L，DFN2010-8L，DFN1W-5W大功率齐纳二极管1)DO-41封装:1N4728A-Z1330A，1n5919b-1n5956b；2)SMA/DO-214AC封装:SMA4728A-SZ1330A，SMA5919b-SMA5956b；3)DO-15套餐:2EZ5.6D5-2EZ330D5，3ez5.6D5-3ez200d5；4)SMB/DO-214AA封装:SMB2EZ5.6D5-SMB2EZ330D5，SMB3ez5.6D5-SMB3ez200d5；5)DO-201封装:1n5333b-1n5388b；6)SMC/DO-214AB封装:SMC5333b-SMC5388b；整流二极管1)SMA包:S1A-S1M，M1-M7，GS1A-GS1M，GF1A-GF1M；2)SMAF套餐:S1AF-S1MF、M1F-M7F、S2AF-S2MF、S3AF-S3MF、GS1AF-GS1MF；3)SMB套餐:S2A-S2M，GF2A-GF2M，GS2A-GS2M；；4)SMBF套餐:S2ABF-S2MBF，S3ABF-S3MBF，S4ABF-S4MBF，S5ABF-S5MBF，GS2abf-GS2MBF；；5)SMC封装:S3A-S3M，GF3A-GF3M，GS3A-GS3K；；6)SOD-123FL包装:S07A-S07M，A1/SOD4001-A7/SOD4007，GS1001fl-GS1008fl；；肖特基二极管1)SMA封装:SS/SK12-SS/SK110、SS/SK22-SS/SK210、SS/SK32-SS/SK320、SS/SK52-SS/SK520、BX32-BX320、10MQ040-10MQ100和10bq00。2)SMAF套餐:SS/SK12F-SS/SK110F，SS/SK22F-SS/SK210F，SS/SK32F-SS/SK320F，SS/SK52F-SS/sk520f；3)SMB套餐:SS/SK22-SS/SK210，SS/SK32-SS/SK320，SS/SK52-SS/SK520，MBRS120-MBRS100，MBRS220-MBRS2100，20bq040-20bq100；4)SMBF套餐:SS22BF-SS210BF、SS32BF-SS320BF、SS52BF-SS520BF、SS345BF、SS545BF；5)SMC包:SS/SK32-SS/SK320、SS/SK52-SS/SK520、30BQ404-30BQ100、BR32-BR320、MBRS320-MBRS3100、MBRS520-MBRS540、B320-b3100；；6)SOD-123FL封装:SDB10A20-SDB10A40，SS1040FL-SS10100FL，SS2040FL-SS20100FL，DSS/DSK12-DSS/DSK110，DSS/DSK22-DSS/。7)TO-277封装:SB1045L、SB1015L、SB1545L、SB1550L、SB1060L、PS1045L、PS1015L、PS1545L、PS1550L、PS1560L、PS1060L快速恢复二极管1)SMA封装:RS1A-RS1M、FR1A-FR1M、BYG10D-BYG10M、BYG20D-BYG20M、BYG30D-BYG30M；2)SMAF套餐:RS1AF-RS1MF、RS2AF-RS2MF、RS3AF-RS3MF；3)SMB封装:RS2A-RS2M，FR2A-FR2M；4)SMBF套餐:RS2ABF-RS2MBF、RS3ABF-RS3MBF、RS4ABF-RS4MBF、RS5abf-RS5MBF；5)SMC封装:RS3A-RS3K，FR3A-FR3M；6)SOD-123FL套餐:F1-F7，RS1001FL-RS1008FL，RS07A-RS07M；快速恢复二极管1)SMA包:MURA110-MURA1100，MURA210-MURA2100，US1A-US1M，ES1A-ES1M，ER1A-ER1M，UF1A-UF1M，HS1A-HS1M；2)SAMF套餐:US1AF-US1MF、ES1AF-ES1MF、ER1AF-ER1MF、UF1AF-UF1MF、ES2AF-ES2MF、ER2AF-ER2MF、US3AF-US3MF、US2AF-US2MF；；3)SMB包:MURS105-MURS1100，MURS205-MURS2100，US2A-US2M，ER2A-ER2M，ES2A-ES2M，HS2A-HS2M；；4)SMBF套餐:ES1ABF-ES1JBF，ES2ABF-ES2JBF，es3abf-es3jbf；；5)SMC包:MURS320-MURS360，MURS420-MURS480，US3A-US3M，ES3A-ES3M，ER3A-ER3M，UF3A-UF3M，HS3A-HS3M；https://pics7.baidu.com/feed/e61190ef76c6a7ef378af30e0a7a8158f2de66f0.jpeg?token=ead27e9996c3ad25cf000c2a4e32632e

Answer 2

国产半导体器件的命名方法
二极管的型号命名通常根据国家标准 GB_249 — 74 规定，由五部分组成。
第一部分：用数字表示器件电极的数目。
第二部分：用汉语拼音字母表示器件材料和极性。
第三部分：用汉语拼音字母表示器件的类型。
第四部分：用数字表示器件序号。
第五部分：用汉语拼音字母表示规格号。如表 5 ． 1 所示。
表 5 ． 1 国产半导体器件的命名方法
第一部分 第二部分 第三部分 第四部分 第五部分
符号 意义 字母 意义 字母 意义 字母 意义 意义 意义
2 二极管 A N 型，锗材料 P 普通 X 低频小功率
(fa<3MHz ， Pc<1W) 反映二极管、三极管参数的差别 反映二极管、三极管承受反向击穿电压的高低。如
A 、 B 、 C 、 D …其中 A 承受的反向击穿电压最低， B 稍高
B P 型，锗材料 W 稳压管
C N 型，硅材料 Z 整流管 G 高频小功率
(fa>3MHz ， Pc<1W)
D P 型，硅材料 L 整流堆
3 三极管 A PNP 型，锗材料 N 阻尼管 D 低频大功率
(fa1W)

B NPN 型，锗材料 K 开关管
C PNP 型，硅材料 F 发光管 A 高频大功率
(fa>3MHz ， Pc>1W)
D NPN 型，硅材料 S 隧道管
E 化合物材料 U 光电管 T 可控硅
CS 场效应管
BT 特殊器件

2 ．日本半导体器件的命名方法
日本半导体器件命名型号由五部分组成。
第一部分：用数字表示半导体器件有效数目和类型。 1 表示二极管， 2 表示三

极管。
第二部分：用 S 表示已在日本电子工业协会登记的半导体器件。
第三部分：用字母表示该器件使用材料、极性和类型。
第四部分：表示该器件在日本电子工业协会的登记号。
第五部分：表示同一型号的改进型产品。具体符号意义如表 5 • 2 所示。
表 5 ． 2 日本半导体器件的命名
第一部分 第二部分 第三部分 第四部分 第五部分
序号 意义 符号 意义 序号 意义 序号 意义 序号 意义
O 光电二极管 或三极管 S 已在日本电子工业协会注 册登记的 半导体 器件 A PNP 高频晶体管 多 位数 字 该器件在日
本电子工业协会的注册登记号
A
B
C
D 该器件为原
型号产品的改
进产品
B NP 低频晶体管
C NPN 高频晶体管
1 二极管 D NPN 低频晶体管
2 三极管或有三个电极的其他器件 E P 控制极可控硅
G N 控制极可控硅
H N 基极单结晶管
J P 沟道场效应管
3 四个电极的器件 N 沟道场效应管
M 双向可控硅
3 ．美国半导体器件的命名方法
美国电子工业协会半导体分立器件命名型号由五部分组成。
第一部分为前缀。
第二部分、第三部分、第四部分为型号基本部分。
第五部分为后缀。这五部分符号及意义如表 5 ． 3 所示。
表 5 ． 3 美国半导体器件的命名
第一部分 第二部分 第三部分 第四部分 第五部分
用符号表示器件的类别 用数字表示 PN 结数目 美国电子工业协会注册标志 美国电子工业协会登记号 用字母表示器分挡
序号 意义 序号 意义 序号 意义 序号 意义 序号 意义
JAN 或 J 军用品 1 二极管 N 该器件是在美 国电子工业协会注册登记的半导体器件
希望能解决您的问题。