稳压二极管和整流二极管PN结材质有什么区别呢?
我知道稳压二极管利用的是PN结反向击穿原理,而整流二极管利用的是PN结单向导电性。但两者在P型半导体和N型半导体材质上有什么区别呢?什么因素导致整流二极管击穿后无法恢复,...
我知道稳压二极管利用的是PN结反向击穿原理,而整流二极管利用的是PN结单向导电性。
但两者在P型半导体和N型半导体材质上有什么区别呢?
什么因素导致整流二极管击穿后无法恢复,而稳压二极管却能在击穿条件下持续工作?
把整流二极管反装于电路中,是否也可以起稳压作用?
我知道其两者PN结材质一定是不同的,那为什么稳压二极管PN结在齐纳击穿后可以恢复,而整流二极管却不能呢?他们PN结到底差别在哪里? 展开
但两者在P型半导体和N型半导体材质上有什么区别呢?
什么因素导致整流二极管击穿后无法恢复,而稳压二极管却能在击穿条件下持续工作?
把整流二极管反装于电路中,是否也可以起稳压作用?
我知道其两者PN结材质一定是不同的,那为什么稳压二极管PN结在齐纳击穿后可以恢复,而整流二极管却不能呢?他们PN结到底差别在哪里? 展开
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参杂浓度影响性能指标,具体可参见数字电路本科教材用书。
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P型和N型半导体都是杂质半导体,它们是在本征半导体材料中掺入极少量的特定元素而成的。本征半导体一般是硅,如掺入5价元素的杂质,比如磷或砷,就可以使自由电子浓度大大增加,这就是N型半导体,也叫电子型半导体。如果掺入三价元素的杂质,如硼、镓、铟或铝等,则形成N型半导体或叫做空穴型半导体。
PN结具有反向特性,如果PN反向接入电路,当电流超过阈值,就会发生击穿现象,击穿现象有两种,雪崩击穿和齐纳击穿。整流二极管被击穿之后导致内部电子和空穴结构遭到破坏,一般无法恢复,因此不能再次使用。但是稳压二极管尽管在PN结被击穿后,它的反向电流急剧增大,但是PN结两端的电压仍然位置不变,只要限制反向电流,PN结就不会被烧坏,也就可以继续使用。
整流二极管反装不能起到稳压作用,因为他们PN结的掺杂浓度是不同的,因此物理性质也是不同的。
他们的不同就在于杂质的掺入浓度啊,因此导致他们的空穴密度和自由电子密度不一样。
PN结具有反向特性,如果PN反向接入电路,当电流超过阈值,就会发生击穿现象,击穿现象有两种,雪崩击穿和齐纳击穿。整流二极管被击穿之后导致内部电子和空穴结构遭到破坏,一般无法恢复,因此不能再次使用。但是稳压二极管尽管在PN结被击穿后,它的反向电流急剧增大,但是PN结两端的电压仍然位置不变,只要限制反向电流,PN结就不会被烧坏,也就可以继续使用。
整流二极管反装不能起到稳压作用,因为他们PN结的掺杂浓度是不同的,因此物理性质也是不同的。
他们的不同就在于杂质的掺入浓度啊,因此导致他们的空穴密度和自由电子密度不一样。
参考资料: 低频电子线路
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