低噪声放大器的产品信息
噪声放大器(LNA)主要面向移动通信基础设施基站应用，例如收发器无线通信卡、塔顶放大器(TMA)、组合器、中继器以及远端/数字无线宽带头端设备等应用设计，并为低噪声指数(NF, Noise Figure)立下了新标竿。目前无线通信基础设施产业正面临必须在拥挤的频谱内提供最佳信号质量和覆盖度的挑战，接收器灵敏度是基站接收路径设计中最关键的要求之一，合适的LNA选择，特别是第一级LNA可以大幅度改善基站接收器的灵敏度表现，低噪声指数也是关键的设计目标，Avago提供了1900MHz下0.48dB同级产品最佳的噪声指数。 另一个关键设计为线性度，它影响了接收器分辨紧密接近信号和假信号分别的能力，三阶截点OIP3可以用来定义线性度，在1900MHz和5V/51mA的典型工作条件下，Avago特有的GaAs增强模式pHEMT工艺技术可以带来0.48dB的噪声指数和35dBm的OIP3，在2500MHz和5V/56mA的典型工作条件下，噪声指数为0.59dB，OIP3则为35dBm。通过低噪声指数和高OIP3，这些Avago的新低噪声放大器可以提供基站接收器路径比现有放大器产品更大的设计空间。
可调整能力和共通引脚安排带来设计优化和灵活度 ·1500MHz到2300MHz工作
同级最佳噪声指数(NF)：0.48dB @ 1900MHz
35dBm OIP3
17.8dB增益
21dBm P1dB @ 1900MHz
·2300MHz到4000MHz工作
低噪声指数(NF)：0.59dB @ 2500MHz
35dBm OIP3
17.5dB增益
22dBm P1dB @ 2500MHz
·单一5V电源，低功耗
典型51mA (1500MHz - 2300MHz)
典型56mA (2300MHz - 4000MHz)
·器件采共通引脚安排和匹配电路
简化印刷电路板设计和生产
·采用特有工艺：0.25μm GaAs增强模式pHEMT
封装和温度范围
这两款低噪声放大器采用2.0 x 2.0 x 0.85 mm大小，符合RoHS要求的8引脚表面贴装QFN封装供货，所有器件都可以在-40oC到+85oC的宽广温度范围下工作。
希卓
2024-10-17 广告
