
带电粒子在匀强电场中的运动
速率不同的正离子数从两板正中垂直电场线射入偏转电场,离子电量都为e,A,B板间电压为U,板距为d,P是一块竖直的长度也为d的挡板,它和A,B的间隙正对,能使射到它上面的离...
速率不同的正离子数从两板正中垂直电场线射入偏转电场,离子电量都为e,A,B板间电压为U,板距为d,P是一块竖直的长度也为d的挡板,它和A,B的间隙正对,能使射到它上面的离子不再打到竖直放置的屏S上,P到S距离为L,板长为L,板右端到P距离也为L。求:
1.屏S上由中心O往一边出现阴影的长度
2.初动能多大的离子经偏转后能打到屏S上 展开
1.屏S上由中心O往一边出现阴影的长度
2.初动能多大的离子经偏转后能打到屏S上 展开
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a=eU/dm ①
由类平抛运动,速度偏角满足
tanθ=d/3L ②
所以到达S板时侧移量
s=2Ltanθ ③
由②③可得阴影长度
s=2/3d ④
能达到S板临界条件
vo/at=cotθ ⑤
t=L/vo ⑥
由上几式整合得
vo^2=3eUL^2/md^2 ⑦
且不能打在B板上的临界条件是
1/2at^2=d/2 ⑧
带入可得
vo^2=eUL^2/md^2 ⑨
由⑦⑨可知,动能取值范围为
3eUL^2/2d^2>Ek>eUL^2/2d^2
由类平抛运动,速度偏角满足
tanθ=d/3L ②
所以到达S板时侧移量
s=2Ltanθ ③
由②③可得阴影长度
s=2/3d ④
能达到S板临界条件
vo/at=cotθ ⑤
t=L/vo ⑥
由上几式整合得
vo^2=3eUL^2/md^2 ⑦
且不能打在B板上的临界条件是
1/2at^2=d/2 ⑧
带入可得
vo^2=eUL^2/md^2 ⑨
由⑦⑨可知,动能取值范围为
3eUL^2/2d^2>Ek>eUL^2/2d^2
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