Question

三相逆变器的原理是如何

Answer 1

逆变器是把直流电能（电池、蓄电瓶）转变成交流电（一般为220V,50Hz正弦波）的设备。

逆变器是将Adapter输出的12V直流电压转变为高频的高压交流电；两个部分同样都采用了用得比较多的脉宽调制（PWM）技术。

其核心部分都是一个PWM集成控制器，Adapter用的是UC3842，逆变器则采用TL5001芯片。TL5001的工作电压范围3.6～40V，其内部设一个误差放大器，一个调节器、振荡器、有死区控制的PWM发生器、低压保护回路及短路保护回路等。

三相逆变就是转换出的交流电压为三相，即 AC380V，三相电是由三个频率相同、振幅相等、相位依次互差120°的交流电势组成。

扩展资料

功能特点：

（1） 该逆变器使用CPU控制，高品质，智能化正弦波输出，属本产品特有的特点。

（2） 智能开关机设计方便操作。

（3） 抗干扰保护：浪涌保护

（4） 当市电R相正常时，电池将能自动充电。

（5）当市电少了一相或多相，以及三相插座有问题，逆变器将会在电池模式工作。

（6）当逆变器在电池模式工作时，如果有一相或多个不行，逆变器将没有输出不能带载。

参考资料来源：百度百科-逆变器

参考资料来源：百度百科-三相逆变器

Answer 2

首先逆变器就是把直流电变化成交流电的一个装置。不管是三相还是单相其工作原理都差不多。直流电通过PWM脉宽调制的技术把它变化成正弦交流电，中间用到电力电子器件，通过正弦波的脉宽调制来控制电力电子器件的导通与截止来实现输出交流电。一般的电力电子器件有MOSFET、IGBT、GTO等。目前大电流器件都用IGBT，并且开关频率也高，它也就是包含和MOSFET和GTO 的有点而集成的一种器件。MOSFET的开关频率高，但是通态电流小。GTO是通态电流大，但是开关频率低。纤细资料可以看看变频器相关资料。希望对你有所帮助。

Answer 3

首先逆变器就是把直流电变化成交流电的一个装置。不管是三相还是单相其工作原理都差不多。直流电通过PWM脉宽调制的技术把它变化成正弦交流电，中间用到电力电子器件，通过正弦波的脉宽调制来控制电力电子器件的导通与截止来实现输出交流电。一般的电力电子器件有MOSFET、IGBT、GTO等。目前大电流器件都用IGBT，并且开关频率也高，它也就是包含和MOSFET和GTO 的有点而集成的一种器件。MOSFET的开关频率高，但是通态电流小。GTO是通态电流大，但是开关频率低。纤细资料可以看看变频器相关资料。

Answer 4

PWM 是一种对模拟信号电平进行数字编码的方法。通过高分辨率计数器的使用，方波的占空比被调制用来对一个具体模拟信号的电平进行编码。PWM
信号仍然是数字的，因为在给定的任何时刻，满幅值的直流供电要么完全有（ON），要么完全无（OFF）。电压或电流源是以一种通（ON） 或断（OFF）
的重复脉冲序列被加到模拟负载上去的。通的时候即是直流供电被加到负载上的时候，断的时候即是供电被断开的时候。
只要带宽足够，任何模拟值都可以使用PWM 进行编码。

如图1 所示，用一系列等幅不等宽的脉冲来代替一个正弦半波，正弦半波N 等分，看成N 个相连的脉冲序列，宽度相等，但幅值不等;用矩形脉冲代替，等幅，不等宽，中点重合，面积（冲量）相等，宽度按正弦规律变化。

SPWM 波形——脉冲宽度按正弦规律变化而和正弦波等效的PWM 波形。

PWM逆变器

标准的三相功率级（power
stage）被用来驱动一个三相无刷直流电机，如图1所示。功率级产生一个电场，为了使电机很好地工作，这个电场必须保持与转子磁场之间的角度接近90°。六步序列控制产生6个定子磁场向量，这些向量必须在一个指定的转子位置下改变。霍尔效应传感器扫描转子的位置。为了向转子提供6个步进电流，功率级利用6个可以按不同的特定序列切换的功率MOSFET。下面解释一个常用的切换模式，可提供6个步进电流。

MOSFET Q1、Q3和Q5高频（HF）切换，Q2、Q4和Q6低频（LF）切换。当一个低频MOSFET处于开状态，而且一个高频MOSFET 处于切换状态时，就会产生一个功率级。

步骤1） 功率级同时给两个相位供电，而对第三个相位未供电。假设供电相位为L1、L2，L3未供电。在这种情况下，MOSFET Q1和Q2处于导通状态，电流流经Q1、L1、L2和Q4。

步骤2）MOSFET Q1关断。因为电感不能突然中断电流，它会产生额外电压，直到体二极管D2被直接偏置，并允许续流电流流过。续流电流的路径为D2、L1、L2和Q4。

步骤3）Q1打开，体二极管D2突然反偏置。Q1上总的电流为供电电流（如步骤1）与二极管D2上的恢复电流之和。

显示出其中的体-漏二极管。在步骤2，电流流入到体-漏二极管D2（见图1），该二极管被正向偏置，少数载流子注入到二极管的区和P区。

当MOSFET Q1导通时，二极管D2被反向偏置，
N区的少数载流子进入P+体区，反之亦然。这种快速转移导致大量的电流流经二极管，从N-epi到P+区，即从漏极到源极。电感L1对于流经Q2和Q1的尖峰电流表现出高阻抗。Q1表现出额外的电流尖峰，增加了在导通期间的开关损耗。图4a描述了MOSFET的导通过程。

为改善在这些特殊应用中体二极管的性能，研发人员开发出具有快速体二极管恢复特性MOSFET。当二极管导通后被反向偏置，反向恢复峰值电流Irrm较小。

结合一种简单的逆变器电路图分析PWM逆变器电路的工作原理

电阻R2和电容C1套集成电路内部振荡器的频率。预设R1可用于振荡器的频率进行微调。14脚和11脚IC内部驱动晶体管的发射极终端。的驱动晶体管（引脚13和12）的集电极终端连接在一起，并连接到8
V轨（7808输出）。可在IC的引脚14和15两个180度，淘汰50赫兹脉冲列车。

这些信号驱动器在随后的晶体管阶段。当14脚的信号为高电平，晶体管Q2接通，就这反过来又使晶体管Q4，Q5，Q6点从目前的+12 V电源（电池）连接流一个通过的上半部分（与标签的标记）变压器（T1）中，小学通过晶体管Q4，Q5和Q6汇到地面。

因此诱导变压器二次电压（由于电磁感应），这个电压220V输出波形的上半周期。在此期间，11脚低，其成功的阶段将处于非活动状态。当IC引脚11云高的第三季度结果Q7的获取和交换，Q8和Q9将被打开。从+12

V电源通过变压器的初级下半部和汇到地面通过晶体管的Q7，Q8，Q9，以及由此产生的电压，在T2次级诱导有助于的下半部周期（标签上标明）电流流220V输出波形。

逆变器输出（T2的输出）挖掘点的标记为B，C，并提供给变压器T2的主。在变压器T2的下降这个高电压的步骤，桥梁D5整流它和这个电压（将逆变器的输出电压成正比）是提供的PIN1通过奥迪R8，R9，R16和（该IC的内部错误放大器的反相输入）这个电压与内部参考电压比较。

此误差电压成正比的输出电压所需的值和IC调节占空比的驱动信号（引脚14和12）为了使输出电压为所需的值的变化。R9的预设，可用于调节逆变器输出电压，因为它直接控制变频器的输出电压误差放大器部分的反馈量。

二极管D3和D4续流二极管，保护驱动级晶体管的开关变压器（T2）初选时产生的电压尖峰。R14和R15限制基地的第四季度和Q7。R12和R13为第四季度和Q7防止意外的开关ON下拉电阻。C10和C11是绕过从变频器的输出噪声。C8是一个滤波电容的稳压IC
7805。R11的限制限制了电流通过LED指示灯D2的。