Question

使用场效应管控制电流问题

Answer 1

对于JFET来说，有增强型和耗尽型两种，如果是耗尽型，当栅源电压为零时，场效应晶体管导电沟道就是存在的，所以一定会有电流。但是如果你用的是增强型管子，理想状态是当你加的栅源电压小于阈值电压时，完全不会有电流，但是这也不可能，因为，反向漏电流是一定存在的。
如果是mos，也是一样的，因为mos和JFET都有漏电流，pn结也有，我们一般所知道的pn结单向导电性只是忽略了其反响漏电流的影响。
如果要减少漏电流的影响的话，第一，从工艺上改进，也就是做更好电学特性的场效应管，比如离子注入或增加栅氧厚度或采取更高介电系数的介质，以调节阈值电压，但这基本是不能做到的，因为我们不是厂家，我们的特殊需求成本太高。而且工艺上的东西都是很难说的，“蝴蝶效应”知道吧？对微电子器件尤其是对集成电路的生产都会造成巨大影响。
那么如何改善，我的想法是，串入一电流源，其电流方向与漏电流方向相反，大小基本相同，抵消漏电流的影响。
但是电流源也是由晶体管组成的，一样会有漏电流，所以，如果漏电流对你的电路影响不大的话，不需要采取什么措施。一般情况下其影响都是不大的，因为如果微小的漏电流必然影响电路特性的话，那我们还用各种晶体管做什么呢？

Answer 2

这个很简单，只是使用过mos管的人远不如使用过三极管的人多而已
。
mos管是电压控制器件，也就是需要使用电压控制g脚来实现对管子电流的控制。
一般市面上最常见的是增强型n沟通mos管，你可以用一个电压来控制g的电压，mos管导通电压一般在2-4v，不过要完全控制，这个值要上升到10v左右。给你推荐一种方法。
基本方法：用一个控制电压（比较器同相输入端）和一个参考电压（比较器反相输入端），同时进入电压比较器（比较器电源接正12v和地，比如lm358当比较器），比较器的输出经过5.1k电阻上拉后接g脚，如果控制电压比参考电压高，则控制mos管导通输出电流。
参考电压可以来自于采样电阻，也就是在nmos的s极接一个大功率小电阻后接地，这个电阻做电流采样，当电流流过电阻后会形成电压，把它放大处理后做参考。
刚开始的时候，电流很小，所以控制电压比参考电压高很多，这时候g脚基本上都加了12v，可以使管子迅速导通，在很短时间后，当电流增大逐步达到某个值时，参考电压迅速上升，与控制电压接近并超过时，比较器就输出低电平（接近0v）使管子截止，电流减小。然后电流减少后，参考电压又下去，管子又导通，电流又增大。然后周而复始。
如果你用d/a输出代替控制电压，则可以获得对mos管的精确控制，我们以前实现过输出范围10-2000ma，步进1ma，输出电流精度正负1ma的水平。